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摘 要:本发明属于电容去离子领域,涉及一种KC预插层的碳纳米薄片(KC‑PCN)用于新型动态插层机制,有效地提高盐去除容量(SAC)以及获得超高循环寿命。所述方法包括室温下,在研钵中加入顺丁烯二酸酐(MAH)和氢氧化钾(KOH)研磨5 min,移入管式炉在N2气氛下升温至700 oC,煅烧30分钟,用1摩尔每升的盐酸溶液和去离子水洗涤产物至pH=7,烘干12 h得到最终产物。本发明首次提出动态插层储钠机制,并将其应用于电容去离子领域。由共轭羰基引发的动态插层机制,达到了碳基电容去离子中超高SAC(40.72 mg g‑1),且在300次的循环后仍然保留97.96%的盐去除容量。另外,在模拟海水的应用中,KC‑PCN可以达到1.65 g g‑1的超高性能。本发明操作简单且对环境友好,为工业化高浓度卤水淡化提供新型参考机制。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202210218843.3 | 专利名称: | KC预插层的碳纳米薄片(KC-PCN)、制备方法、电极及电容去离子 |
申请日: | 2022-03-08 | 申请/专利权人 | 曲阜师范大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省济宁市曲阜市静轩西路57号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C02F1/469搜分类 超级电容器 电池储能搜索 |
公开/公告日: | 2023-05-23 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN114804307B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |