发明专利已授权

一种量子点异质结日盲紫外探测芯片及其制备方法

📄 申请号：CN202011381986.3 📄 发布日：2026/08/10

著录项目信息

申请日

2020-12-01

公开号

CN112436070B

公开日

2023-05-23

申请人

南京信息工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_113

IPC 分类号

H01L31_113 , H01L31_0352 , H01L31_18 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

日盲紫外探测, 紫外通信, 火焰检测, 环境监测, 导弹告警

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摘要

本发明公开了一种量子点异质结日盲紫外探测芯片及其制备方法，该芯片自下至上依次为基底、底栅电极、栅绝缘层、p型半导体层、本征层和n型半导体层，p型半导体层上设置有源电极，n型半导体层上设置有漏电极，p型半导体层、本征层和n型半导体层构成p‑i‑n异质结场效应沟道，该芯片的制备方法包括以下步骤：(1)在基底制备底栅电极；(2)制备栅绝缘层；(3)制备p型半导体层；(4)制备源电极；(5)制备宽禁带半导体量子点本征层；(6)制备n型半导体层；(7)制备漏电极。该芯片能够在提高内量子效率同时降低暗电流，加速分离光生电子和空穴，使光生电子和空穴分别快速转移到n区和p区，继而分别到达源电极和漏电极，提高其响应度。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230523

✅ 授权

20210319

?? 实质审查的生效：

20210302

📄 公开

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