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摘 要:本发明公开了一种量子点异质结日盲紫外探测芯片及其制备方法,该芯片自下至上依次为基底、底栅电极、栅绝缘层、p型半导体层、本征层和n型半导体层,p型半导体层上设置有源电极,n型半导体层上设置有漏电极,p型半导体层、本征层和n型半导体层构成p‑i‑n异质结场效应沟道,该芯片的制备方法包括以下步骤:(1)在基底制备底栅电极;(2)制备栅绝缘层;(3)制备p型半导体层;(4)制备源电极;(5)制备宽禁带半导体量子点本征层;(6)制备n型半导体层;(7)制备漏电极。该芯片能够在提高内量子效率同时降低暗电流,加速分离光生电子和空穴,使光生电子和空穴分别快速转移到n区和p区,继而分别到达源电极和漏电极,提高其响应度。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202011381986.3 | 专利名称: | 一种量子点异质结日盲紫外探测芯片及其制备方法 |
申请日: | 2020-12-01 | 申请/专利权人 | 南京信息工程大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省南京市江北新区宁六路219号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/113搜分类 集成电路搜索 |
公开/公告日: | 2023-05-23 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN112436070B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |