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摘 要:本发明提出了一种无电形成过程阻变存储器实现量子电导效应的方法,其步骤如下:在温度为380‑410℃、氧分压1×10‑3 Pa的环境下用脉冲激光沉积工艺沉积NiO薄膜,NiO薄膜上部制备Au电极作为Au上电极,未被NiO薄膜覆盖的FTO薄膜作为FTO下电极;在295‑373K温度范围内,进行电压扫描模式,绘制电压‑电流测试曲线显示不需要电形成过程;RESET过程中多步电流跳变过程中电压‑电导曲线,显示出至少有6个量子化的阻变台阶。本发明实现了量子电导效应,无电形成过程可以降低阻变存储器的能耗,避免发生不同程度的击穿或损坏,提高装置的工作稳定性;量子电导效应的实现可以大幅度增加存储密度,可应用在多级存储器的超高密度存储领域。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910248076.9 | 专利名称: | 无电形成过程阻变存储器实现量子电导效应的方法 |
申请日: | 2019-03-29 | 申请/专利权人 | 河南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 河南省开封市顺河区明伦街85号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L45/00搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2020-05-15 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN109950394B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |