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摘 要:本发明提供一种薄膜晶体管,它包括分别作为源极和漏极的源漏电极层,作为栅极的导电薄膜层,作为有源层的金属氧化物半导体薄膜层,以及设置在所述导电薄膜层和所述金属氧化物半导体薄膜层之间的同时充当绝缘层和衬底层的绝缘衬底层,在所述薄膜晶体管结构中,所述绝缘衬底层同时起到了衬底和绝缘薄膜的作用,大大简化了薄膜晶体管的制备工艺,降低了制备成本。本发明还提供制备所述薄膜晶体管的方法,该方法工艺简单、成本低廉,在大面积电子电路中有广阔的应用前景。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610993713.1 | 专利名称: | 薄膜晶体管及其制备方法 |
申请日: | 2016-11-11 | 申请/专利权人 | 河南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 河南省开封市金明区金明大道北段金明校区 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/786搜分类 塑料搜索 |
公开/公告日: | 2019-09-13 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN106298961B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |