半导体专利转让:2021110484769一种1D/3D分等级异质结磁性半导体及其制备方法和应用

来源：https://www.shizifang.com 发布日：2023/10/23

摘要：本发明提供了一种1D/3D分等级异质结磁性半导体及其制备方法和应用，属于纳米材料光催化技术领域。所述1D/3D分等级异质结磁性半导体整体包括碳纳米管和负载在所述碳纳米管上的HPWx/Fe2O3纳米材料；所述HPWx/Fe2O3纳米材料包括Fe2O3和固定于所述Fe2O3上的H3O40PW12.xH2O；所述Fe2O3为空心立方结构；所述1D/3D分等级异质结磁性半导体为仿生叶绿体结构。本发明能够克服现有氧化铁材料中光生电子‑空穴对分离效率低导致的光催化活性差的问题，得到的磁性半导体光催化活性好，能有效处理四环素废水。

著录项：

专利/申请号：	CN202111048476.9 复制	专利名称：	一种1D/3D分等级异质结磁性半导体及其制备方法和应用复制
申请日：	2021-09-08	申请/专利权人	云南大学
专利类型：	发明	地址：	云南省昆明市翠湖北路2号
专利状态：	已下证查询审查信息	分类号：	B01J31/18搜分类半导体搜索
公开/公告日：	2022-06-10	转让价格：	面议
公开/公告号：	CN113731499B	交易状态：	等待洽谈搜索相似专利

1．买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
2．卖家确认专利可交易；
3．买家支付交易款项到平台；
4．买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
5．办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
6．买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
7．平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。

交易方	企业	个人
买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

日期	法律信息	备注
2022/06/10	授权
2021/12/21	实质审查的生效	IPC(主分类): B01J 31/18 专利申请号: 202111048476.9 申请日: 2021.09.08
2021/12/03	公开

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一种1D/3D分等级异质结磁性半导体及其制备方法和应用

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