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摘 要:本发明公开一种真空微波精炼工业硅制备6N多晶硅的方法及装置,将工业硅熔体流入一次氧化精炼炉中,通入混合气体Ⅰ,加入SiO2粉进行一次氧化精炼,再流入二次氧化精炼炉中,抽真空,通入混合气体Ⅱ,加入SiO2粉进行二次氧化精炼后,流入定向凝固坩埚中进行一次真空蒸发和定向凝固精炼,再升温进行二次真空蒸发精炼,冷却后取出硅锭,去头尾及边,破碎和筛分后装入反应器,抽真空,分别通入氩气和混合气体Ⅲ,进行微波等离子体真空蒸发和氧化挥发精炼,得到纯度不小于6N的多晶硅,硼、磷和铁等金属杂质均低于0.1ppm,电阻率约2.5Ω·cm,符合多晶硅太阳能电池材料的质量要求,经后续铸造或拉制单晶可获得优质高效的单晶硅太阳能电池材料。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110039307.2 | 专利名称: | 一种真空微波精炼工业硅制备6N多晶硅的方法及装置 |
申请日: | 2021-01-12 | 申请/专利权人 | 昆明理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 云南省昆明市五华区学府路253号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C01B33/037搜分类 硅 微 微生物采样搜索 |
公开/公告日: | 2022-06-14 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN112624122B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |