咨询电话:13280638997
传真:0533-3110363
邮箱:kefu@shizifang.com
摘 要:本发明公开了一种p型AlN薄膜及其制备方法与应用,所述薄膜的结构从下至上依次为衬底、PtLi或PtLi@PtLiO纳米点层和AlZnLiN薄膜层。其制备方法包括以下步骤:S1、在衬底上形成PtLi层,对所述PtLi层进行退火处理,得到纳米颗粒层;S2、在经上述步骤处理后的衬底上生长AlZnN薄膜层,并在(600‑900)℃下保温(0.5‑12)h,Li原子溢出进入AlZnN薄膜层,从而获得AlZnLiN薄膜层。本发明方案设计巧妙,制备操作简单,制得的材料具有良好的晶体质量及光学性能。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201911300708.8 | 专利名称: | 一种p型AlN薄膜及其制备方法与应用 |
申请日: | 2019-12-17 | 申请/专利权人 | 五邑大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省江门市蓬江区东成村22号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/0304搜分类 半导体薄膜 LED材料 光电材料 导电薄膜搜索 |
公开/公告日: | 2021-06-08 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN111146299B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |