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摘 要:本发明公开了一种光电探测器及其制备方法与应用,所述光电探测器包括AlN薄膜、第一电极和第二电极;所述AlN薄膜由下至上依次为衬底、n型ZnAlO薄膜层、Ni@NiO量子点(quantum dot,QDs)层、ZnLiS层和p型AlZnLiN薄膜层,所述第一电极位于所述n型ZnAlO薄膜层上,所述第二电极位于所述p型AlZnLiN薄膜层的上表面。本发明方案设计巧妙,制备操作简单,制得的光电探测器响应灵敏度高,具有良好的工业应用前景。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010032304.1 | 专利名称: | 一种光电探测器及其制备方法与应用 |
申请日: | 2020-01-13 | 申请/专利权人 | 五邑大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省江门市蓬江区东成村22号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/0304搜分类 半导体薄膜 光学通讯 光电材料 光学成像 生物传感器搜索 |
公开/公告日: | 2020-05-26 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN111200029A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |