专利名称：一种p型AlN薄膜及其制备方法与应用      申请号：2019113007088     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体薄膜 LED材料 光电材料 导电薄膜   相似专利 发布日：2025/02/17  
摘要： 本发明公开了一种p型AlN薄膜及其制备方法与应用，所述薄膜的结构从下至上依次为衬底、PtLi或PtLi@PtLiO纳米点层和AlZnLiN薄膜层。其制备方法包括以下步骤：S1、在衬底上形成PtLi层，对所述PtLi层进行退火处理，得到纳米颗粒层；S2、在经上述步骤处理后的衬底上生长AlZnN薄膜层，并在(600‑900)℃下保温(0.5‑12)h，Li原子溢出进入AlZnN薄膜层，从而获得AlZnLiN薄膜层。本发明方案设计巧妙，制备操作简单，制得的材料具有良好的晶体质量及光学性能。

专利名称：一种阵列式多孔氧化物薄膜的制备方法      申请号：2020100315717     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体薄膜 光电材料 生物传感器 气敏传感器   相似专利 发布日：2025/02/17  
摘要： 本发明实施例提供了一种阵列式多孔氧化物薄膜的制备方法，该方法先将衬底置于过滤篮底部，再将过滤篮浸入前驱体溶液中，向前驱体溶液表面滴加微球溶液，然后向上提升过滤篮至过滤篮底部离开前驱体溶液，取出衬底并加热，得到前驱体薄膜，将前驱体薄膜升温后烧结，即得所述阵列式多孔氧化物薄膜。该制备方法通过更换微球溶液中的微球，采用不同粒径大小的微球即可实现对氧化物薄膜上孔径大小的调节，适用于单一金属氧化物多孔薄膜，也可以适用于多元金属氧化物多孔薄膜，适用范围广，无需昂贵的设备和精确的控制即可制备，工艺简单，生产成本低。

专利名称：一种光电探测器及其制备方法与应用      申请号：2020100323041     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体薄膜 光学通讯 光电材料 光学成像 生物传感器   相似专利 发布日：2025/02/17  
摘要： 本发明公开了一种光电探测器及其制备方法与应用，所述光电探测器包括AlN薄膜、第一电极和第二电极；所述AlN薄膜由下至上依次为衬底、n型ZnAlO薄膜层、Ni@NiO量子点(quantum dot，QDs)层、ZnLiS层和p型AlZnLiN薄膜层，所述第一电极位于所述n型ZnAlO薄膜层上，所述第二电极位于所述p型AlZnLiN薄膜层的上表面。本发明方案设计巧妙，制备操作简单，制得的光电探测器响应灵敏度高，具有良好的工业应用前景。