半导体薄膜类专利转让_商标转让

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专利名称：一种光电探测器及其制备方法与应用申请号：2020100323041 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：半导体薄膜光学通讯光电材料光学成像生物传感器相似专利发布日：2025/02/17
摘要：本发明公开了一种光电探测器及其制备方法与应用，所述光电探测器包括AlN薄膜、第一电极和第二电极；所述AlN薄膜由下至上依次为衬底、n型ZnAlO薄膜层、Ni@NiO量子点(quantum dot，QDs)层、ZnLiS层和p型AlZnLiN薄膜层，所述第一电极位于所述n型ZnAlO薄膜层上，所述第二电极位于所述p型AlZnLiN薄膜层的上表面。本发明方案设计巧妙，制备操作简单，制得的光电探测器响应灵敏度高，具有良好的工业应用前景。

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