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24小时咨询热线摘 要：本发明公开了一种n-CdSxSe1-x薄膜/石墨烯肖特基结太阳能电池，包括依次叠置的衬底、背电极、半导体薄膜层、绝缘层、前电极和石墨烯层，所述绝缘层和前电极设有通孔，所述石墨烯层通过所述通孔与半导体薄膜层表面接触形成肖特基结，所述半导体薄膜层为n型CdSxSe1-x半导体薄膜，其中0 著 录 项：
专利/申请号：
CN201510338445.5
专利名称：
一种n-CdSxSe1-x薄膜/石墨烯肖特基结太阳能电池
申请日：
2015-06-18
申请/专利权人
常熟理工学院
专利类型：
发明
地址：
江苏省苏州市常熟市南三环路99号
专利状态：
已下证
查询审查信息
分类号：
H01L31/07搜分类
太阳能搜索
公开/公告日：
2017-03-29
转让价格：
面议
公开/公告号：
CN104952961B
交易状态：
等待洽谈
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| 交易方 | 企业 | 个人 |
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