发明专利已授权

一种n-CdS_xSe_1-x薄膜/石墨烯肖特基结太阳能电池

📄 申请号：CN201510338445.5 📄 发布日：2026/08/03

著录项目信息

申请日

2015-06-18

公开号

CN104952961B

公开日

2017-03-29

申请人

常熟理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_07

IPC 分类号

H01L31_07 , H01L31_0296 ,

技术画像

所属领域

太阳能电池太阳能电池

应用场景

光伏发电, 清洁能源, 新能源发电, 分布式光伏

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摘要

本发明公开了一种n-CdSxSe1-x薄膜/石墨烯肖特基结太阳能电池，包括依次叠置的衬底、背电极、半导体薄膜层、绝缘层、前电极和石墨烯层，所述绝缘层和前电极设有通孔，所述石墨烯层通过所述通孔与半导体薄膜层表面接触形成肖特基结，所述半导体薄膜层为n型CdSxSe1-x半导体薄膜，其中0

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220405

?? 专利权的转移：

20170329

✅ 授权

20151104

?? 实质审查的生效：

20150930

📄 公开

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