一种MgCl2掺杂的环带γ相聚偏氟乙烯基复合膜的制备方法，包括以下步骤：1）使用N,N二甲基甲酰胺DMF作为溶剂配制聚偏氟乙烯/MgCl2共混溶液；2）在热台上将不同质量比例的共混溶液制成薄膜，将薄膜夹在两个透明玻璃板间制成“三明治”结构；3)将2)中制得的不同质量比例的共混薄膜消除热历史，然后降温、等温结晶，并施加至共混薄膜完全结晶；4)将共薄膜使用红外光谱，拉曼光谱，示差扫描量热仪，偏光显微镜，扫描电子显微镜等手段表征聚偏氟乙烯基复合薄膜的晶型为γ晶型以及γ晶型的形貌特征；主要工艺简单，操作方便，制备周期短，可实现较大尺寸以及特殊环带形貌γ型聚偏氟乙烯基复合薄膜的制备，γ型聚偏氟乙烯具有不同于α型聚偏氟乙烯独特的电性。
📄 2016103545790
📂 C08L27_16
👤 陕西科技大学
📅 2016-05-26
本发明涉及一种反铁电陶瓷/PVDF0‑3结构复合材料及其热处理制备方法。本发明由反铁电陶瓷粉末和PVDF基聚合物组成，反铁电陶瓷粉末作为添加粒子均匀分布在聚合物基体内，通过流延法制备得到复合材料膜，并将其进行淬火热处理，所得膜厚为1～100微米，复合材料中反铁电陶瓷粒子体积分数在0～70%之间。本发明采用反铁电陶瓷粒子作为填充粒子制备的0‑3复合材料，即可以有效提高复合材料的电位移值与击穿电场值，还能降低剩余极化减少损耗，从而有利于提高复合材料的储能与放能值，提高储放能效率。
📄 2017104355001
📂 C08L27_16
👤 武汉仲珩激光科技有限公司
📅 2017-06-11
本发明公开了一种聚合物基介电复合材料的制备方法。以十六烷基三甲基溴化铵和过硫酸铵构成氧化模板，再与具有一维结构的羧基化多壁碳纳米管形成双模板，采用化学氧化法将促进吡咯单体在MWCNTs表面聚合，制备了具有特殊核‑壳同心轴结构的新型杂化聚吡咯/多壁碳纳米管导电复合材料。将其作为导电填料与聚偏氟乙烯聚合物基体复合，即可制得聚吡咯/碳纳米管/聚偏氟乙烯三相介电复合材料。整个制备过程中合成工艺简单，成本低，安全易得。本发明的PPy/MWCNTs/PVDF介电复合材料具有优良的介电性能和机械性能，在抗静电、传感器、微波吸收材料、电磁屏蔽材料、航空材料、电极材料、电磁屏蔽、金属防腐、发光二极管、医学上的药物释放等方面有着广泛的应用。
📄 2018107916464
📂 C08L27_16
👤 陕西科技大学
📅 2018-07-18
本发明公开了基于高击穿高储能的纳米夹心结构复合材料的制备方法。电容器材料要求具有高介电常数、高极化值、低介质损耗和高电场强度。本发明如下：1、氮化硼纳米片加入到无水乙醇。2、将二维纳米粒子与氮化硼复合。3、制备聚合物溶液。4、将复合粉末与聚合物溶液混合。5、制备复合材料薄膜雏形。6、通过热处理和淬火制备最终的复合材料薄膜。本发明既能使复合材料保持较高的击穿强度，又能显著提高复合材料的可释放能量密度。本发明中的双键聚合物提高了本身的介电常数同时降低了损耗，加入交联剂提高填料与聚合物之间的相容性，制备出具有高击穿强度、高储能密度的复合薄膜材料。
📄 2019106565075
📂 C08L27_16
👤 杭州电子科技大学
📅 2019-07-19
本发明公开了一种高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料及制备方法。介电复合材料制备中，高体积分数无机物粒子的加入，会导致聚合物的机械性能和击穿强度大幅度降低。所述的复合材料是由片状钛酸锶和PVDF基聚合物组成的；钛酸锶纳米片在复合材料中的质量分数为1～30％，钛酸锶纳米片的粉体片径为0.1～10μm，厚度为10～100nm；所述的PVDF基聚合物包含聚偏氟乙烯PVDF和基于PVDF的P(VDF‑CTFE)、P(VDF‑HFP)、P(VDF‑TrFE)、P(VDF‑CTFE‑TrFE)。本发明使用二维片状钛酸锶作为无机添加粒子，可以有效降低添加物的含量，避免高含量无机粒子添加导致的机械性能和击穿强度的下降。
📄 2020101325608
📂 C08L27_16
👤 杭州电子科技大学
📅 2020-02-29
本发明公开了一种基于二维层状钛酸铋的高储能复合材料及其制备方法，常规的PVDF基复合材料机械强度损失大。本发明如下：首先，用基底聚合物与极性溶剂混合，制备出聚合物溶液；再在聚合物溶液中加入二维层状钛酸铋，形成悬浮液；然后将悬浮液涂覆得到石英基板上；最后对所得复合材料薄膜进行热处理、淬火和干燥。二维层状钛酸铋在复合材料薄膜中的质量分数为1～30％，可以在较低的添加量的情况下是复合材料薄膜得到较高的介电常数。本发明在选取陶瓷粉体时选取的是片状二维层状钛酸铋，因为相较于其他形态的陶瓷粉体，二维层状钛酸铋的PVDF基复合材料有更高的介电常数。因此采用片状二维层状钛酸铋可以获取高介电常数和极化值。
📄 202010132567X
📂 C08L27_16
👤 硬芯科技(西安)有限公司
📅 2020-02-29
本发明一种片状氮化硼/聚偏氟乙烯复合材料及其制备方法,所述方法包括步骤1,将聚偏氟乙烯均匀分散在有机溶剂中,得到聚偏氟乙烯溶液;将片状氮化硼加入到有机溶剂中依次超声、磁力搅拌,得到氮化硼溶液,片状氮化硼的体积与聚偏氟乙烯和片状氮化硼总体积的比值为1%~4%;步骤2,将氮化硼溶液加入到聚偏氟乙烯溶液中后在43~46℃下依次进行超声和磁力搅拌;步骤3,用流延法制备氮化硼/聚偏氟乙烯的复合物,之后烘干后得到复合物A,将复合物A在180~220℃下烘干5~10min后淬火得到片状氮化硼/聚偏氟乙烯复合材料,减少空间电荷的高损耗,增大击穿场强,使片状的BN与PVDF复合材料获得了大的储能密度。
📄 2020101625231
📂 C08L27_16
👤 陕西科技大学
📅 2020-03-10
本发明公开了一种无铅反铁电体与聚合物共混的电介质材料制备方法。本发明制备得到的电介质材料由聚合物和分散在聚合物中的无铅反铁电粒子——钛酸铋钠‑钛酸锶钡组成；所述的无铅反铁电粒子通过固相法合成。所述的无铅反铁电粒子通过加入偶联剂进行改性。采用流延法制备得到复合薄膜材料，其中无铅反铁电粒子的质量分数是1～50％，所得的薄膜厚度为5～30微米。本发明采用的反铁电粒子是无铅的，对环境和人体身体健康友好。本发明制备的复合薄膜材料击穿场强>400MV/m，储能密度高达15.3J/cm3；是一种可用于电容器、大功率静电储能材料。
📄 2020102546631
📂 C08L27_16
👤 硬芯科技(西安)有限公司
📅 2020-04-02
本发明公开了一种超疏水自清洁辐射自降温材料及其制备方法，其特征是首先把聚偏氟乙烯共六氟丙烯(P(VDF‑HFP))和疏水二氧化硅(SiO2)共混于混合溶剂中得到P(VDF‑HFP)/SiO2复合悬浮液；向溶液中逐滴加入非溶剂使P(VDF‑HFP)/SiO2发生相分离形成半透明的溶胶；然后浇铸于培养皿中室温干燥，获得具有微纳双阶多孔结构的复合材料。本发明制备工艺简便，方法简单，原料易得，易大面积生产。
📄 2021100628754
📂 C08L27_16
👤 陕西科技大学
📅 2021-01-18
本发明偶联剂改性的钛酸铋钠/聚偏氟乙烯复合材料及制备方法，所述方法先将Na2CO3、Bi2O3、TiO2和NaCl煅烧，去除Cl‑，烘干后研磨得到片状钛酸铋钠粉体，再将该粉体羟基化，之后将γ‑(2,3‑环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、十三氟辛基三甲氧基硅烷或乙烯基三甲氧基硅烷水解液与粉体混合均匀后干燥；紧接着将得到的粉体与聚偏氟乙烯溶液混合均匀，用流延法在玻璃基板上制备复合物；最后将复合物在160～200℃第一次干燥，再依次淬火和在35～55℃第二次干燥，得到高介电常数、低介电损耗、高击穿场强、高储能密度的偶联剂改性的钛酸铋钠/聚偏氟乙烯复合材料。
📄 202110201215X
📂 C08L27_16
👤 陕西科技大学
📅 2021-02-23
本发明涉及电磁屏蔽技术领域，公开了基于微孔聚合物原位负载的电磁屏蔽膜及其制备方法，以4,4′‑二氨基‑3‑甲基联苯和二甲氧基甲烷为聚合单体，经缩合环化反应得到微孔聚合物，微孔聚合物负载有导电纳米粒子和/或磁性纳米粒子后，再与聚合物基体共混得到。本申请利用含苯环大分子链的扭曲形成大量微孔，从而制备微孔聚合物，该聚合物大分子链虽是刚性但具有旋转自由度，介于刚性与柔性的多孔聚合物更利于后期成膜，形成的多孔聚合物便于实现高负载的导电纳米粒子和/或磁性纳米粒子。
📄 2022108096702
📂 C08L27_16
👤 西华大学
📅 2022-07-11
一种二硫化钼‑镍磷‑聚偏氟乙烯耐磨减摩复合材料的制备方法，其首先制备聚偏氟乙烯微滤分离膜并对其依次进行碱化、敏化与活化、表面镀覆化学镀镍磷镀层和粉碎处理，之后应用水热合成技术在处理后的聚偏氟乙烯分离膜碎屑上沉积二硫化钼微粒，最后再经冷压成型和热处理工序，制备了二硫化钼‑镍磷‑聚偏氟乙烯耐磨减摩复合材料。本发明实现了二硫化钼和镍磷微粒在聚偏氟乙烯中均匀分布，避免了二硫化钼和镍磷微粒在聚偏氟乙烯中的聚团和偏析，有效提升了聚偏氟乙烯的耐磨和减摩特性；制备的复合材料具有机械强度大、热稳定性高、磨损率低、摩擦系数小和使用寿命长的优点，可广泛应用于机械、电子和航空航天等领域。
📄 2017103134213
📂 C08L27_16
👤 燕山大学
📅 2017-05-05
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