发明专利已授权

一种高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料及制备方法

📄 申请号：CN202010132560.8 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-02-29

公开号

CN111218072B

公开日

2022-04-01

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C08L27_16

IPC 分类号

C08L27_16 , C08K9_04 , C08K7_00 , C08K3_24 , C08J5_18 ,

技术画像

所属领域

复合材料复合材料电介质材料储能材料

应用场景

储能电容器, 电子信息器件, 脉冲功率系统

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摘要

本发明公开了一种高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料及制备方法。介电复合材料制备中，高体积分数无机物粒子的加入，会导致聚合物的机械性能和击穿强度大幅度降低。所述的复合材料是由片状钛酸锶和PVDF基聚合物组成的；钛酸锶纳米片在复合材料中的质量分数为1～30％，钛酸锶纳米片的粉体片径为0.1～10μm，厚度为10～100nm；所述的PVDF基聚合物包含聚偏氟乙烯PVDF和基于PVDF的P(VDF‑CTFE)、P(VDF‑HFP)、P(VDF‑TrFE)、P(VDF‑CTFE‑TrFE)。本发明使用二维片状钛酸锶作为无机添加粒子，可以有效降低添加物的含量，避免高含量无机粒子添加导致的机械性能和击穿强度的下降。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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