发明专利已授权

一种MgCl₂掺杂的环带γ相聚偏氟乙烯基复合膜的制备方法

📄 申请号：CN201610354579.0 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2016-05-26

公开号

CN106009426B

公开日

2018-06-19

申请人

陕西科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C08L27_16

IPC 分类号

C08L27_16 , C08K9_00 , C08K3_16 ,

技术画像

所属领域

功能高分子材料功能高分子材料聚合物基复合材料含氟聚合物材料

应用场景

压电传感器, 能量收集, 柔性电子器件, 介电电容器, 智能穿戴设备

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摘要

一种MgCl2掺杂的环带γ相聚偏氟乙烯基复合膜的制备方法，包括以下步骤：1）使用N,N二甲基甲酰胺DMF作为溶剂配制聚偏氟乙烯/MgCl2共混溶液；2）在热台上将不同质量比例的共混溶液制成薄膜，将薄膜夹在两个透明玻璃板间制成“三明治”结构；3)将2)中制得的不同质量比例的共混薄膜消除热历史，然后降温、等温结晶，并施加至共混薄膜完全结晶；4)将共薄膜使用红外光谱，拉曼光谱，示差扫描量热仪，偏光显微镜，扫描电子显微镜等手段表征聚偏氟乙烯基复合薄膜的晶型为γ晶型以及γ晶型的形貌特征；主要工艺简单，操作方便，制备周期短，可实现较大尺寸以及特殊环带形貌γ型聚偏氟乙烯基复合薄膜的制备，γ型聚偏氟乙烯具有不同于α型聚偏氟乙烯独特的电性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20180619

✅ 授权

20161109

?? 实质审查的生效：

20161012

📄 公开

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