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摘 要:本发明公开了一种新的碳化硅生产工艺,包括以下步骤:S1:将碳源和氯化钠放置于合成反应容器底部,再次除去部分杂质;S2:将预处理后的硅源,放置于提纯容器底部,并分步骤逐渐升温至2250℃,除去低沸点杂质;S3:在步骤S2的提纯容器底部通入惰性气体,进一步除去低沸点杂质,之后进入合成反应器,进入合成反应器的气相硅将合成反应器中碳源温度逐渐加热,反应时间10~20h,得到碳化硅粗品;S4:将步骤S3得到的碳化硅粗品提纯后,纯度>99.999%。本发明的制备方法简单,成本低廉,减少CO2排放量,可生产出更高纯度的碳化硅,制备的碳化硅纯度大于99.993%,用于电子产品和芯片等领域。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202411957172.8 | 专利名称: | 一种新的碳化硅生产工艺 |
申请日: | 2024-12-29 | 申请/专利权人 | 内蒙古申弘新材料科技有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 内蒙古自治区乌兰察布市商都县七台镇长盛工业园区 |
专利状态: | 授权未缴费 查询审查信息 | 分类号: | C01B32/984搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2025-01-28 | 转让价格: | 23500.0元 |
公开/公告号: | CN119370847A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |