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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN202411957172.8 | 专利名称: | 一种碳化硅生产工艺 |
申请日: | 2024-12-29 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 授权未缴费 查询审查信息 | IPC分类号: | C01B32/984 分类检索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 【平台担保交易】 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 | |
浏览量: | 9 | 所属领域: | 半导体材料制造 碳化硅晶体生长技术 高温热处理工艺专利转让搜索 |
应用场景:第三代半导体器件衬底制备;高压功率模块封装;电动汽车逆变器散热基板;光伏逆变器高温环境应用
摘 要:本发明公开了一种新的碳化硅生产工艺,包括以下步骤:S1:将碳源和氯化钠放置于合成反应容器底部,再次除去部分杂质;S2:将预处理后的硅源,放置于提纯容器底部,并分步骤逐渐升温至2250℃,除去低沸点杂质;S3:在步骤S2的提纯容器底部通入惰性气体,进一步除去低沸点杂质,之后进入合成反应器,进入合成反应器的气相硅将合成反应器中碳源温度逐渐加热,反应时间10~20h,得到碳化硅粗品;S4:将步骤S3得到的碳化硅粗品提纯后,纯度>99.999%。本发明的制备方法简单,成本低廉,减少CO2排放量,可生产出更高纯度的碳化硅,制备的碳化硅纯度大于99.993%,用于电子产品和芯片等领域。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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