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发明专利
审查中
一种碳化硅生产工艺
📄 申请号:CN202411957172.8
📄 发布日:2026/02/11
著录项目信息
申请日
2024-12-29
公开号
CN119370847A
公开日
2025-01-28
申请人
内蒙古申弘新材料科技有限公司
法律状态
授权未缴费
专利类型
发明
主分类号
C01B32_984
IPC 分类号
C01B32_984
,
C01B33_037
,
技术画像
所属领域
生产工艺
碳化硅材料
无机非金属材料
半导体材料
生产工艺
应用场景
磨料磨具, 耐火材料, 半导体器件, 结构陶瓷, 复合材料
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摘要
本发明公开了一种新的碳化硅生产工艺,包括以下步骤:S1:将碳源和氯化钠放置于合成反应容器底部,再次除去部分杂质;S2:将预处理后的硅源,放置于提纯容器底部,并分步骤逐渐升温至2250℃,除去低沸点杂质;S3:在步骤S2的提纯容器底部通入惰性气体,进一步除去低沸点杂质,之后进入合成反应器,进入合成反应器的气相硅将合成反应器中碳源温度逐渐加热,反应时间10~20h,得到碳化硅粗品;S4:将步骤S3得到的碳化硅粗品提纯后,纯度>99.999%。本发明的制备方法简单,成本低廉,减少CO2排放量,可生产出更高纯度的碳化硅,制备的碳化硅纯度大于99.993%,用于电子产品和芯片等领域。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
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