一种压接式IGBT器件结构优化设计方法

摘     要：本发明涉及大功率半导体器件结构设计技术领域；公开了一种压接式IGBT器件结构优化设计方法，该方法包括以下处理步骤：基于待优化的压接式IGBT器件，选取设计目标；基于压接式IGBT器件，建立热力耦合有限元分析模型M0，进一步地选取耦合温度‑位移稳态求解器对有限元分析模型M0求解；基于各芯片的位置及应力值，建立应力平衡系数响应面；组成初始系数向量a(0)为初始点，构建优化模型并对其求解得到最优系数向量a*；基于最优平衡系数，构建银片设计方案。与现有技术相比，所提方法建立的结构优化模型，可基于现有有限元分析商业软件及经典的优化算法进行求解，从而避免了繁琐、复杂的编程过程，从而具有良好的工程易用性。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期

  法律信息

  备注