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本实用新型公开了一种单晶炉腔体炉盖及压力容器，该单晶炉腔体炉盖包括炉盖本体，炉盖本体包括外壳、内壳及隔水条，述外壳与内壳之间具有冷却空间，各隔水条将冷却空间在横向方向分为多个冷却水腔，外壳上设有多个分别与各冷却水腔相连通的进水管及出水管。上述单晶炉腔体炉盖通过隔水条以横向方向的分割方式，将其分割为不同的受热区域，通过进出水的温度检测，调整各进出水管的连接方式，使冷却水能够较好地降低炉盖的温度，以降低晶棒的温度，便于研究炉盖上的温度情况对晶棒的生长影响，在实际应用中，也能快速调整进出水管的连接方式，便于节约冷却水。

本实用新型属于石墨加热器技术领域，尤其为一种用于直接单晶炉的升降式石墨加热器，包括液压伸缩杆以及固定连接在所述液压伸缩杆伸缩端的连接杆，还包括安装在所述连接杆上的加热组件；所述加热组件包括设置在两个所述连接杆之间的两组上下对称排列的连接环，该连接环是由八个等角分布的连接块组成的，位于上方的所述连接块和位于下方的所述连接块之间设置有三个等角分布的石墨加热管，在此装置上设置了加热组件，用户通过此加热组件，可以通过可拆卸式结构设计，将损坏的位置单独更换并维修，从而大大降低使用成本，起到降本增效的效果，并且在此机构上加入了防滑组件，可以增加对压环连接的稳定性。

本实用新型公开了一种坩埚下护板结构，包括第一护板和第二护板，所述第一护板和第二护板之间设有用于提高拆装便捷性的嵌入式可拆卸结构，所述嵌入式可拆卸结构包括嵌入块和嵌入槽。本实用新型所述的一种坩埚下护板结构通过设置有嵌入式可拆卸结构，在需要对第一护板和第二护板进行拆装时，将第一护板下端外表面的两组嵌入块卡入第二护板上端外表面中部的两组嵌入槽内，使得嵌入块上的连接螺纹槽与定位螺纹槽的位置对准，使用固定螺栓转入定位螺纹槽内后与嵌入块的连接螺纹槽进行螺纹固定，完成嵌入块与嵌入槽的固定，结构简单，操作便捷，可以提高第一护板和第二护板的拆装的便捷性，提高更换维护便捷性。

本发明公开了一种便于去除杂质层的多晶硅铸锭炉，属于多晶硅铸锭技术领域，其技术方案要点是，包括配套设置的炉体和炉盖，炉体的内部通过拉锭机构支撑设置有石墨坩埚，石墨坩埚用于盛装多晶硅原料、高温熔化后的硅液以及借助定向凝固法凝固成型的多晶硅锭，多晶硅锭由分层凝固在一起的多晶硅层和杂质层构成，炉体的内部还设置有发热机构，炉盖上从外界通入有进气管，进气管对准石墨坩埚的开口，炉盖为可升降结构，其借助升降机构来进行升降活动，且其内侧设有取锭机构。该种便于去除杂质层的多晶硅铸锭炉同时兼具多种功能，完善了传统多晶硅铸锭炉的夹取、定位功能，使用起来更加便捷，并且使用期间也无需再进行额外的设备投入。

本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长炉操作台，涉及碳化硅晶体生长炉技术领域，包括操作台主体支架，操作台主体支架的顶部设有台面，台面的中部设有用于安装碳化硅晶体生长炉的槽口，台面为宽面结构，碳化硅晶体生长炉与台面边缘之间构成行走区；操作台主体支架的一侧设有活动连接的下箱体和上箱体，下箱体、上箱体处于抽出状态后，与台面组成梯台；下箱体与操作台主体支架之间设有直线驱动机构，直线驱动机构设置在下箱体内部；下箱体的顶部后方设有用于推动上箱体的推板；在下箱体被推出后，上箱体与操作台主体支架之间设有用于下箱体自动收回操作台主体支架内部的复位装置。

本发明公布了一种单晶硅炉，包括炉本体和旋转提拉驱动组件，所述炉本体内设置有石英坩埚和加热器；所述旋转提拉驱动组件包括提拉气缸、导气盒、旋转部件以及提拉管，其中，所述导气盒配置在所述炉本体的外部，其内设置有导气腔，外壁设置有与所述导气腔连通的第一接头，所述第一接头用于连接配重源装置，所述提拉管为中空的长管结构，其一端与所述导气腔连通，另一端设置有闭合该中空长管开口的提拉头，所述提拉头伸入所述炉本体内；所述旋转部件用于驱动所述提拉管旋转，所述提拉气缸的输出端连接所述导气盒，用于驱动所述提拉头完成拉引工序；本发明提出一种单晶硅炉，克服了过去晶体在高晶转下生长易晃动的缺点，有效改善晶体的径向均匀性。

本发明涉及一种单晶炉的自动加料装置及其操作方法，所述自动加料装置包括称重机构、主控制器、加料机构和储料箱；加料机构包括料箱、电机、转轴和挡板；料箱上具有进料口和出料口；转轴转动连接在料箱上且与电机的输出轴固定连接，转轴的轴向中部的周缘上具有开口，开口径向向内延伸形成舱口；所述挡板固定连接在料箱上且靠紧在转轴的轴向中部的周缘上；所述储料箱固定连接在料箱的进料口处且与该进料口连通。所述电机和称重机构均与主控制器电连接或者无线信号连接。采用本发明的自动加料装置的单晶炉在进行单晶棒的连续拉制过程中，坩埚内的液体硅料在连续加料中液面保持平稳、晶体能稳定生长，不会出现多晶生长现象。