专利名称：一种分立器件硬件复位电路      申请号：202222725549X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：电子电路设计 集成电路应用 电源管理技术 嵌入式系统硬件开发 复位电路   相似专利 发布日：2025/09/15  

应用场景：工业自动化设备的异常恢复控制;通信基站设备的硬启动保护;智能仪器仪表的故障重置;汽车电子控制系统的安全重启;物联网终端设备的低功耗唤醒管理

专利名称：单光子雪崩二极管探测器的快速淬灭/复位电路及其方法      申请号：2019102326569     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体 复位电路   相似专利 发布日：2025/02/06  
摘要： 本发明公开了单光子雪崩二极管探测器的快速淬灭/复位电路及其方法。目前有完成单光子雪崩光电二极管淬灭恢复功能的电路设计，但是其淬灭复位的时间还有提高的空间。本发明单光子雪崩二极管探测器的快速淬灭/复位电路，包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5和延迟保持电路。第一MOS管M1、第二MOS管M2及第四MOS管M4为NMOS管。第三MOS管M3及第五MOS管M5为PMOS管。本发明在淬灭过程中，雪崩二极管SPAD的阴极接至低电平，阳极接至高电平，进而达到雪崩二极管SPAD的阳极电压上升的同时阴极电压下降的效果，有效降低了淬灭时长。

专利名称：一种高速单光子雪崩二极管淬灭复位电路      申请号：2016108524644     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电子设备和元器件 复位电路   相似专利 发布日：2025/02/06  
摘要： 本发明公开了一种高速单光子雪崩二极管淬灭复位电路。现有单光子雪崩光电二极管淬灭恢复电路不能快速地完成对雪崩光电二极管的淬灭恢复功能。本发明首先利用检测器对雪崩光电二极管产生的信号进行检测，当检测器的输出信号为高电平，第二MOS管内阻升高两端电压增加，第七MOS管导通，第十MOS管截止，使得雪崩光电二极管两端的反向偏置电压快速地降低，高速地完成电路的淬灭功能；当检测器的输出信号为低电平时，第二MOS管内阻降低两端电压减少，第七MOS管截止，第十MOS管导通，使得雪崩光电二极管两端的反向偏置电压快速地增加，高速地完成电路的恢复功能，以此来完成本发明的功效。