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| 专利/申请号： | CN201910232656.9 | 专利名称： | 单光子雪崩二极管探测器的快速淬灭/复位电路及其方法 |
| 申请日： | 2019-03-26 | 申请/专利权人 | 杭州电子科技大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H03K17/22 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2019-07-26 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN110061727A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 51 | 所属领域： | 半导体专利转让搜索 |
摘 要：本发明公开了单光子雪崩二极管探测器的快速淬灭/复位电路及其方法。目前有完成单光子雪崩光电二极管淬灭恢复功能的电路设计，但是其淬灭复位的时间还有提高的空间。本发明单光子雪崩二极管探测器的快速淬灭/复位电路，包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5和延迟保持电路。第一MOS管M1、第二MOS管M2及第四MOS管M4为NMOS管。第三MOS管M3及第五MOS管M5为PMOS管。本发明在淬灭过程中，雪崩二极管SPAD的阴极接至低电平，阳极接至高电平，进而达到雪崩二极管SPAD的阳极电压上升的同时阴极电压下降的效果，有效降低了淬灭时长。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2023/12/26 | 专利权的转移 | 登记生效日: 2023.12.08 专利权人由杭州电子科技大学变更为上海勤志科技发展有限公司 地址由310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街变更为200082 上海市杨浦区翔殷路128号6幢2层（集中登记地） |
| 2020/04/21 | 授权 | |
| 2019/08/20 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H03K 17/22 专利申请号: 201910232656.9 申请日: 2019.03.26 |
| 2019/07/26 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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