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| 专利/申请号： | CN201610852464.4 | 专利名称： | 一种高速单光子雪崩二极管淬灭复位电路 |
| 申请日： | 2016-09-27 | 申请/专利权人 | 杭州电子科技大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H03K17/22 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2019-03-05 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN106411299B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 41 | 所属领域： | 电子设备和元器件专利转让搜索 |
摘 要：本发明公开了一种高速单光子雪崩二极管淬灭复位电路。现有单光子雪崩光电二极管淬灭恢复电路不能快速地完成对雪崩光电二极管的淬灭恢复功能。本发明首先利用检测器对雪崩光电二极管产生的信号进行检测，当检测器的输出信号为高电平，第二MOS管内阻升高两端电压增加，第七MOS管导通，第十MOS管截止，使得雪崩光电二极管两端的反向偏置电压快速地降低，高速地完成电路的淬灭功能；当检测器的输出信号为低电平时，第二MOS管内阻降低两端电压减少，第七MOS管截止，第十MOS管导通，使得雪崩光电二极管两端的反向偏置电压快速地增加，高速地完成电路的恢复功能，以此来完成本发明的功效。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2019/03/05 | 授权 | |
| 2017/03/15 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H03K 17/22 专利申请号: 201610852464.4 申请日: 2016.09.27 |
| 2017/02/15 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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