本发明公开了一种铁氰化镍/还原氧化石墨烯杂化材料的制备方法及其在高选择性电化学去除铯离子中的应用，该方法通过简单的共沉淀方法制备还原氧化石墨烯负载的铁氰化镍纳米粒子，其中铁氰化镍纳米粒子均匀分散在还原氧化石墨烯上，制得的铁氰化镍/还原氧化石墨烯杂化材料在钾离子存在的条件下显示出对铯离子较高的选择性，因此能够用作高选择性电化学去除铯离子的电化学转换离子交换剂。
📄 2018102912518
📂 G01N23_2055
👤 浙江师范大学
📅 2018-04-03
本发明属于超高温陶瓷技术领域，公开了一种高热导率硼化锆陶瓷及其制备方法和应用，所述硼化锆陶瓷是以ZrB2为原料，B2O3为催化剂，添加B和C烧结助剂后混合，得到ZrB2‑B2O3‑B‑C混合粉体，再将该混合粉体过筛，在热压烧结制得。该方法具有工艺简单、成本低等优点，制备的ZrB2陶瓷具有高热导率，其相对密度大于95％，热导率大于100W/(m·k)，能够用于航空航天领域中，特别有望适用于高超声速飞行器的鼻锥和机翼前缘关键部位。
📄 2018106617836
📂 C04B35_58
👤 广东工业大学
📅 2018-06-25
本发明属于于陶瓷材料技术领域，公开了一种原位合成氮化硅/硼化锆复相陶瓷及其制备方法和应用，所述氮化硅/硼化锆复相陶瓷是将预氧化的ZrB2、Si粉和烧结助剂MgO‑Y2O3经混料，干燥后得到Si‑ZrB2‑MgO‑Y2O3混合粉体；将混合粉体进行造粒和成型，再采用冷等静压制得Si‑ZrB2‑MgO‑Y2O3坯体；将坯体在氮气气氛下，升温至1300～1450℃烧结，然后升温至1500～1600℃烧结并保温制得。本发明方法所制备的Si3N4‑ZrB2复相陶瓷的相对密度为95～99％，硬度为18～25GPa，断裂韧性为10～15MPa·m1/2，抗弯强度为800～1200MPa。
📄 2019107747634
📂 C04B35_58
👤 广东工业大学
📅 2019-08-21
一种纳米银/吡啶功能化石墨烯修饰电极的制备方法，其特征在于：包括吡啶功能化石墨烯（Py‑GO）合成、Ag纳米粒子/吡啶功能化石墨烯（AgNPs/Py‑RGO）合成和AgNPs/Py‑RGO/GCE的制备，所述AgNPs/Py‑RGO的合成是在Py‑GO分散液中加入硝酸银和乙二胺四乙酸形成混合液，水浴至沸腾，再缓慢加入硼氢化钠，持续加热，之后离心分离、干燥。本发明制备的AgNPs/Py‑RGO/GCE中Ag负载量高，Ag含量占比为39.62wt%；Ag纳米颗粒粒径均匀，在石墨烯表面均匀分布、不发生团聚；AgNPs/Py‑RGO/GCE对HQ和CC具有优异的检测灵敏度，检测限分别为0.062μM和0.097μM；具有优异的选择性、抗干扰能力强。
📄 202010668384X
📂 G01N27_30
👤 重庆文理学院
📅 2020-07-13
本发明提供的是一种基于电热效应的可调制型纤维集成Michelson干涉仪。包括光源、单模光纤环行器、光纤锥、非对称双芯光纤、电热阵列、电源控制系统、反射镜和光电检测装置，其特征是：光源与单模光纤环行器的第一端口相连，单模光纤环行器的第二端口通过光纤锥与非对称双芯光纤的一端相连，单模光纤环行器的第三端口与光电检测装置相连，反射镜位于非对称双芯光纤的另一端，所述的非对称双芯光纤包括中间芯和边芯，电热阵列位于非对称双芯光纤边芯一侧的包层上，电热阵列通过导线与电源控制系统相连接。本发明结构简单紧凑、系统的稳定性好、制作方便、成本低的，在光纤传感，光信息检测、外界环境监测等方面有较为广阔的应用前景。
📄 2017108965177
📂 G01D5_353
👤 桂林电子科技大学
📅 2017-09-28
本发明提供的是一种基于电热效应的可调制型纤维集成Mach‑Zehnder干涉仪。包括光源、单模光纤、光纤锥、非对称双芯光纤、电热阵列、电源控制系统和光电检测装置，光源通过第一单模光纤和第一光纤锥与非对称双芯光纤的一端相连，非对称双芯光纤的另一端通过第二光纤锥和第二单模光纤与光电检测装置连接，所述的非对称双芯光纤包括中间芯和边芯，电热阵列位于非对称双芯光纤边芯一侧的包层上，电热阵列与电源控制系统相连接。本发明结构简单紧凑、系统的稳定性好、制作方便、成本低的、便于操作。本发明在光纤传感，光信息检测、外界环境监测等方面有较为广阔的应用前景。
📄 2017108965209
📂 G01D5_353
👤 桂林电子科技大学
📅 2017-09-28
本发明涉及一种具有屏蔽效应的超结P柱和N‑沟道的4H‑SiC基VDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件包括P+多晶硅漏极、N+衬底区、P柱屏蔽区、N柱区、P‑电场终止区、二氧化硅隔离层、P+多晶硅栅电极、P+多晶硅源电极Ⅰ、P+多晶硅源电极Ⅱ、N‑沟道区和N+源区；其中P+多晶硅漏电极、N+衬底区、N柱区、P+多晶硅源电极Ⅱ、N‑沟道区和N+源区组成器件的导电区；N柱区和P‑电场终止区组成器件的漂移区；P柱屏蔽区和N柱区组成器件的横向超结。本发明在传统4H‑SiC基VDMOS器件基础上，在垂直漂移区引入超结结构、整体非对称结构以及N‑沟道区，提高了器件的击穿电压，大幅降低了米勒电容和反馈电容，提升了器件的动态性能，降低了沟道电阻和比导通电阻。
📄 2022105062653
📂 H10D62_10
👤 重庆邮电大学
📅 2022-05-10
本发明请求保护一种基于BERT和无池化卷积神经网络的文本分类方法，步骤包括：对原始中文新闻文本进行分词、转换文本序列等预处理；将新闻文本输入BERT模型中得到词嵌入向量输出，基于BERT模型的多头注意力机制可以更充分地保留全局语义信息；将词嵌入向量输入卷积神经网络并对卷积神经网络进行优化，在卷积层使用三个不同大小的卷积核提取更加丰富的局部语义信息，以及取消池化层避免池化操作造成的部分语义信息丢失问题；将训练得到的参数作为网络模型的初始参数；最后将无池化卷积神经网络的输出输入全连接层实现分类。本发明具有良好的收敛性和稳定性，同时能够提高文本分类准确率。
📄 2023100037753
📂 G06F16_35
👤 重庆邮电大学
📅 2023-01-03
本发明提供了一种旋流纳米空化发生器，包括喷头装置和进液装置，所述喷头装置一端插入进液装置内部，所述进液装置内设有相互连通的旋流室和进液腔，所述旋流室与喷头装置一端连通，所述旋流室内设有可转动的转轮，所述进液腔内的压力介质用于提供转轮动力；所述进液装置上设有与旋流室连通的通气管道，用于产生空化泡，通过转轮搅拌使空化泡的大小均匀。本发明通过旋流的机械搅拌，使空化泡更加均匀，进气道和旋流转轮的设计有效的提高了空化发生器的产生纳米空泡的质量和效率。
📄 2021111214697
📂 B01F23_235
👤 江苏大学
📅 2021-09-24
本发明涉及易碎材料加工设备领域，具体的说是一种基于空化效应的易碎材料加工设备，包括加工箱和安装在加工箱内的空化喷嘴，加工箱底部内壁上固定有底板，底板顶部设有工件，加工箱底部固定连接有底座，底座一侧设有回收箱，回收箱与加工箱通过回收管连通，回收箱与底座之间设有浓液箱和淡液箱，回收箱顶部连接有淡液管，回收箱底部连接有浓液管。磨削工作快要完成时，浓液阀关闭，淡液阀打开，水泵将淡液箱中的基液送给空化喷嘴，淡液箱中的基液磨粒含量很少，在加工时不易划伤工件表面，可以在需要增加磨削效率时采用磨粒较多的基液，在需要提高精度的时候使用磨粒较少的基液，提高了工件加工的效率。
📄 2022113000786
📂 B24C3_02
👤 江苏大学
📅 2022-10-24
本发明公开空化领域中的一种曝气增强型空化射流装置及工作方法，空气从空气入口进入后从注气孔进入上圆柱孔板和下圆柱孔板之间的空间，同时高压水从高压水入口冲入上圆柱孔板和下圆柱孔板之间的空间，与空气初步混合，注气管将空气送进下曝气箱中，在高压水和空气在上圆柱孔板和下圆柱孔板之间完成第一级空化增强作用；初步混合的高压水通过大空化喷嘴和小空化喷嘴，完成第二级空化增强作用，螺旋桨旋转，使水和空气混合更加充分，完成第三级空化增强作用；高速射流经过支架臂，流向曝气装置底部的出口，完成第四级空化增强作用；采用多级增强，在多个位置处增强，让空化的强弱在一定范围内变动，提高空化效率和可控性。
📄 2024116893240
📂 C02F1_00
👤 江苏大学
📅 2024-11-25
本发明公开了一种基于变分生成对抗网络的个体处理效应评估方法，采用变分自编码器推断观测特征的隐表示，来获取完整的潜在因素，设计生成对抗网络推断反事实结果并指导变分自编码器更好地解耦潜在因素为工具因素，混淆因素以及调整因素，同时引入了一种自适应加权的方法基于解耦的混淆因素进一步控制数据偏差。本发明基于变分自编码器与生成对抗网络设计协同学习策略，提出变分生成对抗网络模型来估计个体处理效应，与现有方法相比，提高了个体处理效应评估的准确率。
📄 2021115768273
📂 G06F18_214
👤 南京邮电大学
📅 2021-12-21
柿子坊 · 知识产权运营
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