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本发明公开了一种SiC单晶片的超声辅助电化学机械抛光加工装置及方法，SiC单晶片和不锈钢电极分别与脉冲电源的正极和负极相连，在抛光液中构成闭合回路，晶片作为阳极发生阳极氧化生成一层氧化膜，在通过抛光垫和磨粒机械性地去除氧化层该方法抛光材料去除效率高，机械抛光不会对SiC单晶基材造成损失；且不会消耗大量电能，节能环保，另外本发明加工装置简单，加工方法易实现，适合大范围推广使用。

本发明提供一种用于聚晶类金刚石刀具的机械抛光方法，具体步骤为：利用圆弧刃抛光机对聚晶类金刚石刀具的后刀面进行抛光，得到后刀面表面粗糙度为1nm和刀具后角为10°的聚晶类金刚石刀具；根据聚晶类金刚石刀具中刃口半径的预测公式，选取抗压强度高的金属保护层；利用真空焊接机在聚晶类金刚石刀具的后刀面烧结一层金属保护层；利用平面抛光机对聚晶类金刚石刀具的前刀面进行机械抛光；根据聚晶类金刚石刀具的特性，利用化学溶解试剂对得到的聚晶类金刚石刀具后刀面上的金属保护层进行溶解，直到金属保护层从聚晶类金刚石刀具后刀面上完全脱落。本发明有效抑制刀具切削刃边缘晶粒脱落引起的崩口，从而减小聚晶类金刚石刀具的切削钝圆半径。

本发明公开了基于双位定位原理的半导体晶片机械抛光加工装置，其结构包括抓取机构、伺服器、控制面板、立柱、抛光基座、设备主体、固定地脚，固定地脚设有四个，且通过扣合方式安装于设备主体底部，设备主体顶部前端设有控制面板，立柱设有两个，且通过扣合方式安装于设备主体左右两侧。本发明抓取机构在切换不同直径大小的晶片加工时，通过调位组件控制定位机构内的负压疏通值，且能够分别转换负压外环与负压内环的单独吸附，实现了不同直径范围的外置吸孔变换，以便于根据不同大小的晶片进行局限调整，确保了吸附力度的平均，避免造成晶片变形损坏。