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本发明公开了用氮和硼改善4H-SiC MOSFET反型层迁移率的方法，属于微电子技术领域。步骤如下：A、采用离子注入工艺将五价元素氮植入到4H-SiC外延层表面；B、采用湿氧氧化工艺形成栅氧化层；C、采用扩散工艺将三价元素硼植入到外延层与氧化层的界面；扩散工艺的扩散温度为950℃，时间为1.5-2.5小时，确保硼掺杂剂在热动力的驱使下能穿透栅氧化层到达4H-SiC/SiO2界面；硼扩散工艺后，在惰性气体的保护下退火。该方法能大大减小4H-SiC/SiO2的界面态密度、提高4H-SiC MOSFET的反型层迁移率，同时稳定4H-SiC MOSFET的阈值电压。

本发明公开了用氮和硼改善4H‑SiC MOSFET反型层迁移率的方法，属于微电子技术领域。步骤如下：A、采用离子注入工艺将五价元素氮植入到4H‑SiC外延层表面；B、采用湿氧氧化工艺形成栅氧化层；C、采用扩散工艺将三价元素硼植入到外延层与氧化层的界面；扩散工艺的扩散温度为950℃，时间为1.5‑2.5小时，确保硼掺杂剂在热动力的驱使下能穿透栅氧化层到达4H‑SiC/SiO2界面；硼扩散工艺后，在惰性气体的保护下退火。该方法能大大减小4H‑SiC/SiO2的界面态密度、提高4H‑SiC MOSFET的反型层迁移率，同时稳定4H‑SiC MOSFET的阈值电压。

本实用新型涉及硅片承载装置技术领域，且公开了一种太阳能电池扩散石英舟，包括舟体，舟体内壁两侧均固定连接有台板，舟体内部位于两个台板顶部放置有多个太阳能电池硅片，舟体内壁两侧均设有隔槽板组件，舟体底部开设有贯穿至内部穿槽，其穿槽内插入有推座组件；包括有多个夹板组件，本实用新型通过将石英舟内设置隔槽板组件，通过隔槽板组件可将多个太阳能电池硅片进行单独隔开并进行固定，避免太阳能电池硅片在石英舟内累积，使硅片各个面均可与气体均匀接触，改善了太阳能电池扩散工艺效果，提高太阳能电池性能，而通过该隔槽板组件对太阳能电池硅片的固定效果可提高电池硅片在该石英舟内的稳定性。

本发明公开了一种基于图像检测的太阳能电池片扩散工艺中SE方法，本发明采用高速摄影机定时采集太阳能电池片结束扩散工艺后的图像，并将其输入至图像检测程序，图像检测程序采用Canny边缘检测算法、Hough变换等技术组合，判断直线区域和矩形区域的位置关系，图像检测程序对位移偏移量和位移偏移量阈值、角度偏移量和角度偏移量阈值进行判断，若存在至少一种偏移量超出偏移量阈值，程序则发出警告，收到报警之后，立即排查问题，缩短响应时间，减少过多电阻值高、导电性能不好的太阳能电池片流入后续工序中，提高最终太阳能电池片的良品率，本发明通过图像检测算法能够减少检测人力成本的投入，提高检测效率，提高响应时间。

本发明公开了一种低功耗4H‑SiC电压控制型功率半导体器件及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。包括外延层与氧化层，其特征在于，外延层表面下有一层氮注入层和三价元素的扩散层，氮注入层的厚度为18‑20nm，三价元素为铝，铝在外延层中的扩散深度为10‑20nm，采用高温扩散工艺将三价元素植入到4H‑SiC外延层，利用干法刻蚀工艺减薄高温工艺所生长的氧化层，采用离子注入工艺将五价元素氮植入到外延层与氧化层的界面，利用干氧氧化工艺将氧化层生长至所需要的厚度。该方法能降低4H‑SiC电压控制型功率半导体器件的开关损耗，同时能稳定4H‑SiC电压控制型功率半导体器件的阈值电压。