本发明公开了一种掺杂浓度渐变的圆形漂移区半导体器件及其制备方法，包括：半导体衬底，以及位于半导体衬底表面的漂移区；所述漂移区与半导体衬底之间的边界为圆弧；在所述漂移区全部区域或者设定的部分区域内，其各位置的掺杂浓度处于到之间，其中，Ec为漂移区材料的临界击穿电场强度，ε0为真空介电常数，εr为漂移区材料的相对介电常数，q为单位电荷量，R为相应位置到所述圆弧所在圆心的距离。本发明通过将器件的掺杂浓度渐变，会使器件的电场集中效应对电场的影响与漂移区空间电荷区对电场的影响相互抵消，从而使器件获得极佳的耐压能力。
📄 2021105470130
📂 H01L29_06
👤 济南大学
📅 2021-05-19
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有部分P型漂移区的IGBT。本发明将IGBT的耐压层设置为由N型漂移区(4)和P型漂移区(5)通过上下堆叠的形式，形成具有部分P型的漂移区，从而使器件内部形成了一个肖克来(Shockley)二极管结构，此肖克来二极管由一个PNP晶体管(发射极：P+集电极，基极：N型场截止层，集电极：P型漂移区和一个NPN晶体管(发射极：N型载流子存储层，基极：P型漂移区，集电极：N型漂移区构成，从而实现了更好的导通压降与关断损耗的折中关系。
📄 202210479778X
📂 H01L29_06
👤 电子科技大学
📅 2022-05-05
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有NP堆叠漂移区的IGBT。本发明将IGBT的耐压层设置为由N型漂移区(4)和P型漂移区(5)通过上下堆叠的形式，形成NP堆叠漂移区，从而NP叠型漂移区使器件内部形成了一个肖克来(Shockley)二极管结构，此肖克来二极管由一个PNP晶体管(发射极：P+集电极，基极：N型场截止层，集电极：P型漂移区和一个NPN晶体管(发射极：N型载流子存储层，基极：P型漂移区，集电极：N型漂移区构成，从而实现了更好的导通压降与关断损耗的折中关系。
📄 2022104797934
📂 H10D62_10
👤 电子科技大学
📅 2022-05-05
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