本发明公开了一种具有高远红外发射率的碳布负载高熵尖晶石陶瓷材料及其制备方法，该方法包括：碳布酸洗处理；选用Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn和Al过渡金属盐类化合物中的五种按照金属离子摩尔比为1:1:1:1:1的比例配制成水溶液，然后按照过渡金属离子：尿素：氟化铵摩尔比为1:5:7的比例往金属离子水溶液中加入尿素和氟化铵得到混合溶液；将处理后的碳布与混合溶液置入水热反应釜中，封闭于180℃反应8h；冷却后取出清洗、干燥待用；将碳布置入马弗炉升温至400℃热处理2h，冷却得到具有高远红外发射率的碳布负载高熵尖晶石陶瓷材料；本发明提高尖晶石远红外发射材料分散性能，增加发射比表面积，提高单位质量远红外发射率，且制备方法简单、生产能耗低。
📄 202211271959X
📂 D06M11_36
👤 陕西科技大学
📅 2022-10-18
本实用新型涉及电子陶瓷元件加工技术领域，特别公开了一种电子陶瓷元件钻孔装置，包括基座，基座上端部对称开设有燕尾槽，基座上端部中心处固定安装有固定柱，固定柱两端均螺纹安装有螺纹环，固定柱上对称固定安装有第一弹簧，两个燕尾槽内部对称滑动安装有L形板，两个L形板下端部均对称固定安装有燕尾块，两组燕尾块分别滑动安装在两组燕尾槽中，两个L形板内部均滑动安装有夹持机构；夹持机构包括滑板，两个滑板分别滑动安装在两个L形板中，两个滑板内部均螺纹安装有第一螺杆，两个第一螺杆分别转动安装在两个L形板中，该设备避免了传统装置因固定尺寸导致的适用范围局限，显著提升了设备的通用性和使用场景的多样性。
📄 2025211845397
📂 B28D1_14
👤 成都湛艺电子科技有限公司
📅 2025-06-11
本实用新型涉及陶瓷工艺品展示设备技术领域，尤其涉及带防撞保护托架的陶瓷工艺品展示柜；技术问题：在使用陶瓷工艺品展示柜时，当行人路过对陶瓷工艺品展示柜造成撞击时，陶瓷工艺品展示柜收到冲击力容易发生倾倒，对陶瓷工艺品造成损伤；技术方案：带防撞保护托架的陶瓷工艺品展示柜，包括有展示柜主体、支撑组件、缓冲组件、防撞组件、展示组件、保护组件和照明组件；本实用新型相较于传统陶瓷工艺品展示柜，当行人路过对陶瓷工艺品展示柜造成撞击时，陶瓷工艺品展示柜收到冲击力容易发生倾倒，对陶瓷工艺品造成损伤，该陶瓷工艺品展示柜可以在陶瓷工艺品展示柜受到冲击力时有效对冲击力进行缓冲，防止行人撞到陶瓷工艺品展示柜发生倾倒。
📄 2024206717892
📂 A47F3_00
👤 厦门追素视觉文化传媒有限公司
📅 2024-04-02
本实用新型提供一种陶瓷收纳罐用的保护底座，包括保护座、底座、收纳罐，保护座底部与底座相连接，收纳罐底部嵌在保护座中部，保护座表面设置有保护栏与可调节高度的调节栏，保护座上合板至少设置有一个可调节的夹具，底座底部设置有驱动轮；该结构新颖合理，它可以对陶瓷收纳罐起来保护的作用，同时设有驱动轮，可以便于进行移动，简单方便。
📄 2021213014493
📂 B65D25_24
👤 泉州市汇智港智能科技有限公司
📅 2021-06-11
本发明公开了一种Cu2+、Ta5+和F‑共掺杂TiO2巨介电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的结构通式为(Cu1/3Ta2/3)0.1Ti0.9‑x/4O2‑xFx，其中x的取值为0.04～0.064，本发明通过配料、球磨、预烧、二次球磨、过筛、压片、气氛烧结、空气退火制备而成；本发明制备工艺简单、产率高、重复性好、成本低，所得陶瓷材料都获得巨介电性能，其中，x＝0.052时，其介电常数为1130，损耗为0.04，温度稳定性达到X9F(Δεr/ε25℃:‑55℃‑200℃≤±7.5％)。
📄 202411937899X
📂 C04B35_46
👤 陕西科技大学
📅 2024-12-26
本实用新型涉及陶瓷技术领域，公开了一种陶瓷生产用内加热烧结设备，包括箱体，箱体的底端设置有底座，箱体的前端开设有箱门，箱体的内部通过导轨活动连接有支撑台，支撑台的顶部两侧安装有升降机构，箱体的内部顶端安装有加热元件。本实用新型中，通过设置升降机构将陶瓷放置入载板上，通过分隔板进行限位后，可带动陶瓷根据需求进行高度的便捷调节，使陶瓷可控制与顶部加热元件的距离，从而保证满足不同陶瓷进行热处理时的热需求，同时通过开设对流槽，保证两侧加热管在进行热传递时，整体的流通性，进而缺乏陶瓷各面的受热均匀性，通过设置限位机构可便捷将加热管进行拆卸，解决现有技术在对加热管更换维修时便利性较差的问题。
📄 2024211378268
📂 F27B17_00
👤 洛阳锟铻新材料科技有限公司
📅 2024-05-23
本发明涉及陶瓷加工技术领域，更具体的说是一种陶瓷材料及其制备工艺，包括以下步骤：步骤一、陶瓷壳倒置使自身的开口朝上；步骤二、陶瓷壳内部水平端面的四周处覆涂粘剂；步骤三、通过陶瓷材料加工装置使内框贴固于陶瓷壳的粘剂上，内框的上端设置有内螺纹孔；步骤四、底壳盖于陶瓷壳上，且底壳的边缘位于陶瓷壳边缘的内侧，使得底壳朝下时，陶瓷壳能够完全遮盖底壳，底壳上设有与内螺纹孔能够导通的通孔，通过螺丝穿过通孔旋入内螺纹孔，以将底壳固接在内框上。该陶瓷材料的外观是以陶瓷为主体，底座为耐磨磕碰的金属，适合计算机输入设备如键盘或陶瓷艺术品使用，以提高其耐用性。
📄 2023113285200
📂 F16B11_00
👤 刘英豪
📅 2023-10-14
本发明公开了一种连续相演变微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料技术领域。连续相演变微波介质陶瓷材料，其特征在于：化学通式为(1‑x)Li3MgAO5‑xLi2BO3，其中，A为Nb5+、Ta5+或Sb5+五价离子中的一种或两种的混合，B为Ti4+、Sn4+或Zr4+四价离子中的一种或两种的混合；x取值范围为0.7≤x≤0.9。微波介质陶瓷材料的晶相随着x取值的增大，从立方岩盐相向单斜岩盐相连续演变。采用本发明所述的连续相演变微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用，能够解决现有的微波介质陶瓷材料品质因数低、介电常数宽范围调节差的问题。
📄 2025114849708
📂 C04B35_462
👤 成都信息工程大学
📅 2025-10-17
本发明涉及电子信息功能材料技术领域，尤其涉及一种低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料及其制备方法，化学式为(Y0.2B0.2C0.2D0.2E0.2)2BaZn1‑xMgxO5，其中，B、C、D、E选自La系稀有元素中的一种，0＜x＜0.1，发明还提供一种低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料的制备方法，包括配料、球磨、烘干过筛、预烧、造粒、模压成型、长时煅烧并退火。本发明制得的材料具有高熵化的纯相正交晶体结构，微观形貌高度致密、无气孔和无微裂纹，具有高品质因数和小的谐振频率温度系数，介电常数在14~18之间，高Q×f值在30,000到70,000 GHz之间，τf值在‑30~‑8 ppm/°C之间可调。配方中不含Pb，Cd等挥发性有毒金属，性能稳定，适用于高频化微波通信系统。
📄 2024104205697
📂 C04B35_50
👤 成都信息工程大学
📅 2024-04-09
本发明公开了三元层状MAX相陶瓷材料催化剂及其制备方法和应用，所述三元层状MAX相陶瓷材料催化剂的制备方法包括以下过程：在氟化剂的作用下，MAX相陶瓷材料中的A原子层被氟化，制得所述三元层状MAX相陶瓷材料催化剂；其中，所述MAX相陶瓷材料为Ti3AlC2、Cr2AlC、V2AlC、Nb2AlC中的至少一种。本发明方法制备三元层状MAX相陶瓷材料催化剂的周期短、且操作简单，所制备的催化剂为具有三元层状的过渡金属催化剂，其在含氟烷烃脱HF制备含氟烯烃反应中具有良好的催化活性和稳定性。
📄 2019108923864
📂 B01J27_22
👤 浙江工业大学
📅 2019-09-20
本发明公开了一种富含不饱和配位的二维陶瓷材料催化剂及其制备方法和应用，所述二维陶瓷材料催化剂的制备方法包括以下步骤：在刻蚀剂的作用下，刻蚀剂中的插层物质将MAX相材料插层剥离制得二维MXene材料，即制得所述二维陶瓷材料催化剂，所述MAX相材料为Ti3AlC2、Cr2AlC、V2AlC、Nb2AlC中的至少一种；所述刻蚀剂为盐酸与LiF的混合物，或者草酸。本发明所制备的催化剂为具有不饱和配位的二维纳米层状催化剂。本发明方法合成的催化剂含氟烷烃脱HF制备含氟烯烃反应中具有良好的催化活性和稳定性。
📄 2019108923737
📂 B01J27_22
👤 浙江工业大学
📅 2019-09-20
本发明公开了一种原位合成MAX相金属陶瓷材料的方法，将Ti、Si、TiC、Al四种粉末按1：1.2：(2.0～2.4)：0.3的摩尔比混合，再将混合原料粉末、氧化铝研磨球和无水乙醇放入研磨罐中，将研磨罐放入行星球磨机进行球磨，得到混合浆料，烘干后，得到混合粉末，将其装入石墨模具中，然后放入快速热压炉中，升温至1250～1450℃，保温烧结5～15分钟，最后随炉降温，即得。本发明方法制备的材料具有强度高、韧性好、导电性好、自润滑性能优异、耐高温和腐蚀性能好等优点，能满足在苛刻极端环境下的应用要求。与传统热压烧结技术相比，本发明方法能有效地防止晶粒长大，起到细晶强化作用，提升了材料的强度和韧性。
📄 2022110002597
📂 C22C1_051
👤 盐城工学院, 盐城中泰新材科技有限公司
📅 2022-08-19
柿子坊 · 知识产权运营
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