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本发明属于功率半导体技术领域，尤其是涉及一种具有雪崩过流能力的新型GaN功率半导体器件。本发明由横向GaN器件与垂直GaN器件结合，在横向GaN结构的沟道下方放置垂直GaN结构。器件正常工作时，栅极施加正向偏压，漏源之间施加正向偏压，器件上方横向GaN结构导通，有电流通过，下方垂直GaN结构反偏，几乎无电流。当器件处于反向耐压状态时，上方横向GaN结构无导通电流，下方垂直GaN结构反偏同样无导通电流。随着漏源之间电压一直增加，下方垂直GaN结构发生雪崩击穿，反向耐压下电流主要通过下方GaN垂直结构从漏极流向源极，从而使本发明的新型GaN功率半导体器件具有雪崩击穿，并且相较于传统PGaN栅GaN HEMT器件耐压有所提升。

本发明属于功率半导体技术领域，尤其是涉及一种多偏置信号控制多列岛的GaN功率器件。本发明在PGaN栅增强型GaN HEMT器件结构的基础上在AlGaN势垒层表面增加多列岛，并且由偏置电路控制多列岛。器件正常的导通与关断与PGaN栅增强型GaN HEMT无异，并且由于P岛的存在，可以有效扩展耗尽区，从而提升器件耐压，使得本发明相较于传统PGaN栅增强型GaN HEMT器件在耐压上有提升。通过陷阱与电子和空穴的密度或浓度动态变化来控制偏置电路，由数字化偏置控制的多列岛可以向器件注入载流子，通过可控制的载流子注入、陷阱俘获来实现器件工作中的电荷动态补偿，从而达到实现抑制动态导通电阻退化的效果。