本发明公开了基于开口谐振环的高效率宽带射频功率放大器及其设计方法，至少包括宽带输入匹配网络、晶体管电路及输出匹配网络，其中，所述输出匹配网络至少设置开口谐振环二次谐波匹配网络和宽带基波匹配网络，所述开口谐振环二次谐波匹配网络由一个二端口矩形双环开口谐振环构成。采用本发明技术方案，利用开口谐振环在其阻带的低电阻的特性来进行对输出端二次谐波的匹配，并且二次谐波匹配与基波匹配分开进行，可以同时满足二次谐波与基波都能很好的匹配到最佳输出阻抗，从而提高漏极效率与工作带宽。
📄 2022114106063
📂 H03F1_02
👤 杭州电子科技大学,杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
📅 2022-11-11
本发明公开了一种带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器，宽阻带带通滤波器采用单腔基片集成波导结构，谐振腔上层金属刻蚀出四个形状相同的新型互补开口谐振环，记为宽阻谐振环，上层金属中间位置沿纵向刻蚀形成容性开槽线，记为宽阻容性开槽线，下层金属刻蚀形成缺陷地；双频带带通滤波器采用单腔基片集成波导结构，谐振腔上层金属刻蚀出四个新型互补开口谐振环，四个开口谐振环按大小不同分成两组记为大谐振环和小谐振环，上层金属中间位置沿纵向刻蚀形成容性开槽线，记为双频容性开槽线，沿横向刻蚀形成栅状开槽线，上层金属锥形接口处刻蚀形成对称的开槽微带线，谐振腔内部设有金属沉孔，连接电路接地面形成慢波基片集成波导结构。
📄 2022111216659
📂 H01P1_207
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📅 2022-09-15
本发明公开了一种基于OCSRR的微流体差分微波传感器及其设计方法，至少包括测量单元和参考单元，所述测量单元和参考单元采用相同的结构，其内分别设置测量OCSRR粒子和参考OCSRR粒子，其中，所述测量单元用于根据流经其内的被测流体产生第一信号，所述参考单元用于根据流经其内的参考流体产生第二信号，第一信号和第二信号用于表征OCSRR粒子的反射特性进而通过两者的差分信息获取传感信息以提取液体样品的复介电常数。通过对本发明所设计的传感器进行测试，实验结果与仿真结果吻合良好。与现有同类传感器相比，该传感器能够抑制环境因素的影响，平均灵敏度高达0.88％。
📄 2022111190752
📂 G01N22_00
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📅 2022-09-13
本发明公开了一种双T型MIM电容等效电路模型及其参数提取方法，等效电路模型中有效电容的第一端与串联电感一的第二端电连接，第二端与低频寄生电阻的第一端电连接，低频寄生电阻的第二端与高频寄生电感的第一端电连接，高频寄生电感的第二端与串联电感二的第一端电连接，高频寄生电阻与高频寄生电感并联；介质电容一的第一端与串联电感一的第二端电连接，第二端与衬底寄生电容一的第一端电连接，衬底寄生电阻一与衬底寄生电容一并联。本发明的双T型等效电路模型可拟合更宽频率范围的MIM电容。
📄 2022107592315
📂 G06F30_331
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📅 2022-06-29
本发明公开了一种双频大回退Doherty功率放大器及其设计方法，包括非对称功分器、载波功率放大模块、峰值功率放大模块和合路阻抗匹配网络，利用左右手复合线理论构建了双频移相器。双频移相器实现任意两个频段的任意相移，使得峰值功率放大模块的输出匹配网络在小信号输入状态时，其S参数能够尽可能的贴近开路点附近，能够进一步的提高非对称Doherty功率放大器的回退区间。
📄 202210687536X
📂 H03F1_02
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📅 2022-06-16
本发明公开了基于椭圆低通滤波匹配网络的超宽高效逆F类功率放大器，其中栅极直流偏置网络用于提供功率放大晶体管工作所需的栅极偏置电压；漏极直流偏置网络用于提供功率放大晶体管工作所需的漏极偏置电压；输入端阻抗匹配网络包括微带线、隔直电容以及RC并联电路；输出端阻抗匹配网络包括谐波控制网络和椭圆低通滤波匹配网络，其中，谐波控制网络选取通带外的两个频率点进行二次谐波控制；椭圆低通滤波匹配网络基于一个六阶切比雪夫低通滤波器改进得到，在工作频带外产生两个传输零点，实现基波阻抗到二次谐波阻抗的转换。本发明使得功率放大器在超五倍频的工作带宽内实现高效率和高增益。
📄 202210322208X
📂 H03F1_42
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📅 2022-03-29
本发明公开了一种负反馈超宽带低噪声放大器电路及其设计方法，至少包括输入匹配网络、第一放大器、第二放大器、第三放大器、第一负反馈网络、第二负反馈网络、第三负反馈网络以及输出匹配网络，其中，所述输入匹配网络用于将50欧姆阻抗匹配到晶体管的最小噪声阻抗点，使功率放大器获得最小的噪声同时完成低噪声放大器的宽带匹配；其输入端连接信号源，输出端依次连接第一放大器、第二放大器、第三放大器；每级放大器分别连接第一负反馈网络、第二负反馈网络、第三负反馈网络。本发明所提出的结构在提高低噪声放大器噪声性能和增益平坦度的同时，实现了工作频带带宽横跨S波段、C波段、X波段。
📄 2022111498373
📂 H03F1_42
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📅 2022-09-21
本发明公开了高转换增益毫米波四倍频器，包括输入匹配网络，第一倍频单元，第一级间匹配网络，第二倍频单元，第二级间匹配网络，缓冲放大单元，输出匹配网络。倍频单元采用单端结构，输入信号经过两个二次倍频单元最终产生了四次倍频的输出信号，分别通过第一、第二级间匹配网络对各倍频单元输出端的其它谐波进行抑制，电路末级级联了一个高增益的共源驱动放大器。本发明有效改善了单端倍频器转换增益低，谐波抑制差的问题，可以满足一些大功率本振源的需求。
📄 2022111232702
📂 H03B19_14
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📅 2022-09-15
本发明公开了基于多通道高速SAR ADC的采样电路，第一采样开关由栅压自举电路和栅压传递控制开关组成，可以完成从多路中选择一路并将该路输入信号进行采样；第二采样开关由一个NMOS管组成，可实现与第一采样开关同步对该路信号进行采样，将结果传输给高速ADC进行转换输出。本发明通过改进传统的栅压自举采样电路，运用复用设计理念，采用栅压传递控制开关，实现了多个通道共享一个ADC，提高了各个通道转换精度的同一性，同时引入第二采样开关，一方面消除了由于MOS管漏电流存在导致采样电压的非线性；另一方面将多通道的输出节点与ADC电容阵列的Top端进行隔离，解决了多通道输出节点大寄生电容引起电容阵列电容失配的问题，极大提高了整个ADC系统的精度。
📄 2022104867388
📂 H03M1_12
👤 杭州电子科技大学,杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
📅 2022-05-06
本发明公开了一种高线性度GaN HEMT射频功率放大器电路，设置多个GaN HEMT管芯，每个GaN HEMT管芯的漏极连接在一起作为输出端，每个GaN HEMT管芯的栅极连接在一起作为输入端，每个GaN HEMT管芯的源极接地，其中，输出端并接谐振网络，每个GaN HEMT管芯栅极均并接第一电感L1和第二电感L2。采用本发明的技术方案，将GaN HEMT管芯并联，在并接的漏极端口到地并联一个谐振网络以及在每个GaN HEMT管芯的栅极端口并联两个到地电感，从而利用电路结构的优化消除寄生电容的影响，有效改善电路的线性度。
📄 2022101112117
📂 H03F1_32
👤 杭州电子科技大学,杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
📅 2022-01-28
本发明公开了IQ双平衡FET阻性混频器，本振信号从本振正交耦合器输入，经过本振第一功放、本振第二功放，再经过两个并联的本振第一、第二巴伦，将本振信号转化为四个本振输出信号，分别连接四个本振阻抗匹配网络，用于两个双平衡FET阻性混频器；射频信号从射频巴伦输入，分别连接两个射频T型结功分器，将射频信号转化为四个平衡的输出端口，用于两个双平衡FET阻性混频器；从两个双平衡FET阻性混频器引出四个彼此相位差为90度的中频信号，改善了变频损耗和镜像抑制度，缩小镜频抑制混频器芯片部分的面积，降低成本。
📄 2022112147285
📂 H03D7_14
👤 杭州电子科技大学,杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
📅 2022-09-30
本发明公开了一种基于十字结式微带匹配的并联负反馈超宽带低噪声放大器，其中十字结式输入匹配网络的输入连接射频信号，输出连接分段式负反馈放大电路，分段式负反馈放大电路将接收到的射频信号进行放大并经过所述十字结式输出匹配网络的两个端口输出；所述栅极直流偏置电路和漏极直流偏置电路分别与晶体管的栅极和漏极相连接，用于提供工作电压以及阻断射频信号流入电源；所述并联负反馈电路通过在晶体管漏极和栅极之间并联电容、电感和微带线来实现宽带特性。本发明在提高低噪声放大器噪声性能和增益平坦度的同时，极大的提高了电路的工作带宽和电路设计复杂度，简化了结构，缩小了电路的体积。
📄 2022111729414
📂 H03F1_34
👤 杭州电子科技大学,杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
📅 2022-09-26
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