发明专利已授权

一种高线性度GaN HEMT射频功率放大器电路

📄 申请号：CN202210111211.7 📄 发布日：2026/04/30

著录项目信息

申请日

2022-01-28

公开号

CN114650020B

公开日

2025-11-14

申请人

杭州电子科技大学,杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H03F1_32

IPC 分类号

H03F1_32 , H03F3_193 , H03F3_21 , H10D30_47 ,

技术画像

所属领域

功率放大器电路射频功率放大器氮化镓半导体器件射频电路设计功率放大器电路

应用场景

无线通信基站, 5G通信系统, 雷达系统, 卫星通信, 电子对抗

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摘要

本发明公开了一种高线性度GaN HEMT射频功率放大器电路，设置多个GaN HEMT管芯，每个GaN HEMT管芯的漏极连接在一起作为输出端，每个GaN HEMT管芯的栅极连接在一起作为输入端，每个GaN HEMT管芯的源极接地，其中，输出端并接谐振网络，每个GaN HEMT管芯栅极均并接第一电感L1和第二电感L2。采用本发明的技术方案，将GaN HEMT管芯并联，在并接的漏极端口到地并联一个谐振网络以及在每个GaN HEMT管芯的栅极端口并联两个到地电感，从而利用电路结构的优化消除寄生电容的影响，有效改善电路的线性度。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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