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本实用新型公开一种脉冲‑回波法超声检测及包络提取电路，应用于超声换能器回波检测领域，针对现有的检测设备成本高、体积大的问题，本实用新型采用集成电路芯片进行设计，具体采用芯片NE555P产生重复脉冲控制信号，采用芯片MAX4429放大驱动电流，驱动功率MOSFET管及相关电路实现重复负极性高压发射脉冲输出，采用芯片AD604实现超声回波信号低噪声放大与增益调节，采用芯片AD8045实现超声回波的噪声滤除，采用芯片AD8039实现超声回波信号的包络提取，采用集成电路芯片LM1117‑5V实现+5V电压输出，LM1117‑2.5V实现+2.5V电压输出，MAX861实现‑5V电压输出。

本实用新型公开一种宽频超声内窥探头，应用于超声内窥镜领域，针对现有的环形超声内窥镜带宽小、结构复杂，不利于设备的微型化和成本的降低的问题；本实用新型将CMUT阵列设置于柔性基底，CMUT阵列中每个阵元由数百至数千个CMUT单元构成，阵元内的所有CMUT单元并联在一起，CMUT单元公共底电极为高掺杂的硅基底，CMUT单元顶电极通过导线连接在一起，每个阵元都能够独立发射、接收超声波；探头无需以机械方式旋转，而是以电子扫描，即能够实现360°环形扫描；本实用新型仅用单一频率的CMUT，就实现了宽频的覆盖。

本发明公开了一种透光微机电超声换能器及其制备方法，涉及超声换能器领域，方法主要包括在透光基底上沉积公共底电极；在公共底电极上旋涂光敏聚合物并曝光显影，形成具有空腔结构和支撑结构的光敏聚合物透光基底晶圆；使用键合机，利用晶圆黏附层键合技术，将光敏聚合物透光基底晶圆与正反面均沉积有低应力氮化硅薄膜的硅晶圆键合固化，得到键合固化晶圆；使用干湿刻蚀方法去除位于键合固化晶圆外表面的低应力氮化硅薄膜及硅晶圆，保留位于键合固化晶圆内部的低应力氮化硅薄膜，并在保留的薄膜上沉积公共顶电极和金属层，以使得到的金属导线贯穿公共顶电极。本发明具有可透光、不会阻挡光路的优点，同时具备较大的相对带宽。

本申请提供一种多频CMUT器件的制造方法及多频CMUT器件，包括选用高浓度掺杂的硅晶圆作为基底制作硅基层；在所述硅基层的上表面设置绝缘层；在所述绝缘层的上表面沉积非晶硅制备牺牲层并定义CMUT单元；所述牺牲层包括圆形主体和与所述圆形主体连接的多个释放通道；在所述CMUT单元上沉积振动薄膜；在各个所述释放通道的开孔位置开设腐蚀孔，对牺牲层进行释放，形成空腔；在所述牺牲层释放完毕后密封所述腐蚀孔；利用光刻蚀工艺围绕所述圆形主体形成的空腔刻蚀预设宽度的支撑壁；深腐蚀操作至硅基层，以便沉积底电极；沉积电极及器件之间的连接导线，同时在所述振动薄膜的上表面沉积顶电极。

本申请提供一种头戴式多通道超声神经刺激装置及方法，包括放置在被检测对象头顶的头罩；安装在头罩上的3个以上的激励通道，该激励通道包括电容式微机械超声换能器和独立的信号线；设置在头罩上的公共端；经过公共端与电容式微机械超声换能器的信号线连接的控制端；电容式微机械超声换能器包括多个CMUT超声换能阵列；CMUT超声换能阵列包括多个CMUT阵元；控制端包括控制器；与控制器连接的脉冲产生电路；与脉冲产生电路连接的高压脉冲驱动电路和直流偏置电压产生电路；与高压脉冲驱动电路和直流偏置电压产生电路连接的阵元选通电路；阵元选通电路与CMUT超声换能阵列连接；控制器通过相控阵调制方式控制CMUT阵元的超声波聚焦点。