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摘 要:一种具有高维持电流强鲁棒性的LDMOS-SCR结构的ESD自保护器件,可用于片上IC高压ESD自保护电路。主要由P衬底、P阱、N阱、第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第二N+注入区、第一场氧隔离区、薄栅氧化层、第二场氧隔离区、第三场氧隔离区、第四场氧隔离区和多晶硅栅构成。本发明设计的LDMOS-SCR结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下,可分别形成寄生LDMOS-SCR结构和两个二极管与LDMOS导电沟道相连的ESD电流泄放路径,快速泄放ESD电流,提高器件触发回滞后的维持电流和失效电流、增强器件的ESD鲁棒性,适用于高压电路的ESD自保护。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201410024428.X | 专利名称: | 一种具有高维持电流强鲁棒性的LDMOS-SCR结构的ESD自保护器件 |
申请日: | 2014-01-20 | 申请/专利权人 | 江南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省无锡市蠡湖大道1800号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L27/02搜分类 SCR L 器件 保护器件 高维持搜索 |
公开/公告日: | 2016-03-02 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN103730462B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |