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摘 要:本发明提供了一种制备TiAl合金薄膜的方法,其中,提供反应腔室,该反应腔室内放置有至少一个衬底;向反应腔室中引入铝前驱物和钛前驱物,所述铝前驱物具有结构式(I)的分子结构;使所述铝前驱物和所述钛前驱物与所述衬底接触,通过气相沉积在所述衬底表面形成钛铝合金薄膜。本发明提供的方法解决了传统PVD在小尺寸器件中的台阶覆盖问题及不完全填充的问题,同时也避免了采用等离子体辅助形成钛铝合金薄膜,使得基底不受等离子体损伤,保证器件性能和/或可靠性不受影响。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201510648669.6 | 专利名称: | 一种制备钛铝合金薄膜的方法 |
申请日: | 2015-10-09 | 申请/专利权人 | 中国科学院微电子研究所,江南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 北京市朝阳区北土城西路3号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C23C16/18搜分类 铝合金 塑料 合金薄膜搜索 |
公开/公告日: | 2019-03-15 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN106567053B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |