专利名称：一种非晶CrCoNi合金薄膜负载Pt的甲醇氧化复合电极及其制备方法      申请号：2021113258647     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电子元器件 塑料 CO R P 港口 电子设备和元器件 合金薄膜   相似专利 发布日：2024/02/21  
摘要： 本发明公开了一种非晶CrCoNi合金薄膜负载Pt的甲醇氧化复合电极及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：将玻碳片机械抛光、洗涤、干燥后，制得预处理的玻碳片，即基片；然后分别将CrCoNi合金靶材和Pt靶材固定在脉冲激光沉积仪的靶托上，并将靶托固定在真空沉积室的靶盘上，再将基片托放置在真空沉积室内，调节靶材和基片的距离；将真空沉积室抽真空，然后进行预溅射，再沉积CrCoNi合金；将Pt靶材调整至原CrCoNi合金靶材的位置，进行预溅射，再沉积Pt；沉积结束后，将真空沉积室压力调至大气压后，取出基片，即制得非晶CrCoNi合金薄膜负载Pt的甲醇氧化复合电极。该复合电极的薄膜催化剂具有更好的催化活性，且其稳定性和耐久性更好。

专利名称：一种制备钛铝合金薄膜的方法      申请号：2015106486696     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：铝合金 塑料 合金薄膜   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明提供了一种制备TiAl合金薄膜的方法，其中，提供反应腔室，该反应腔室内放置有至少一个衬底；向反应腔室中引入铝前驱物和钛前驱物，所述铝前驱物具有结构式(I)的分子结构；使所述铝前驱物和所述钛前驱物与所述衬底接触，通过气相沉积在所述衬底表面形成钛铝合金薄膜。本发明提供的方法解决了传统PVD在小尺寸器件中的台阶覆盖问题及不完全填充的问题，同时也避免了采用等离子体辅助形成钛铝合金薄膜，使得基底不受等离子体损伤，保证器件性能和/或可靠性不受影响。

专利名称：亚稳态高镁MgZnO固溶合金薄膜激光烧蚀制作方法      申请号：2016110528094     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：塑料 镁 Zn 激光烧蚀 合金薄膜   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 亚稳态高镁MgZnO固溶合金薄膜激光烧蚀制作方法属于光学功能材料技术领域。现有技术Mg的掺杂量一般都小于0.33。本发明之亚稳态高镁MgZnO固溶合金薄膜激光烧蚀制作方法属于一种Sol‑Gel法，其特征在于，确定MgxZn1‑xO中的x的值为：0.25≦x≦0.75，按所述x的值确定乙酸锌和乙酸镁的摩尔比，将所述乙酸锌和乙酸镁溶于有机溶剂，加入与锌离子和镁离子等物质量的乙醇胺，搅拌后得溶胶液；将所述溶胶液旋涂于基片上，低温热处理得凝胶膜；采用激光烧蚀所述凝胶膜，激光功率为5～30W，烧蚀时间为1～1000sec，激光光源出光口与凝胶膜之间的距离为1～50cm，得亚稳态高镁MgZnO固溶合金薄膜。

专利名称：一种具有高垂直交换耦合场的稀土-过渡合金薄膜及其制备方法      申请号：2017107296645     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：稀土材料 塑料 合金薄膜   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明公开了一种具有高垂直交换耦合场的稀土-过渡合金薄膜及其制备方法，包括通过磁控溅射依次在基片上溅射的金属缓冲层、非磁氧化物层、合金层及金属保护层；通过调整溅射时间控制非磁氧化物层生长厚度，以调节与其直接接触的合金层氧化程度，形成合金层的氧化部分和未被氧化部分间的交换耦合体系，从而调节氧化层程度及垂直交换耦合场的大小。

专利名称：一种锡合金薄膜电极及其应用      申请号：2012105946379     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：塑料 电子元器件 电子设备和元器件 合金薄膜   相似专利 发布日：2023/09/14  
摘要： 本发明公开了一种锡合金薄膜电极及其应用，其制备包括以下步骤：（1）以硫脲、柠檬酸、次亚磷酸钠、浓硫酸、硫酸亚锡、金属M的硝酸盐和水配制化学镀液，金属M为Ag、Fe、Ni、Co、Zn、Al、Mg或Cu，所述的化学镀液的pH在0.8~1.1，其中：硫脲浓度为40~200g/L，柠檬酸浓度为20~80g/L，次亚磷酸钠浓度为30~160g/L，硫酸亚锡浓度为0.1~0.4mol/L，金属M的硝酸盐浓度为0.1~1g/L；（2）将铜箔用0.3-0.6mol/L硫酸腐蚀10-15min，然后用蒸馏水洗涤、干燥；（3）将腐蚀后的铜箔放入温度保持在30~40℃的化学镀液中反应30~120s，在铜箔表面形成锡合金薄膜，干燥得到锡合金薄膜电极。本发明还提供了所述的锡合金薄膜电极作为锂离子电池负极的应用，具有容量高、性能稳定的优点。

专利名称：一种利用离子液体电沉积制备Ni-Mo-P纳米合金薄膜电极的方法      申请号：2021106794086     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电子元器件 塑料 纳米材料 P 港口 电子设备和元器件 合金薄膜   相似专利 发布日：2023/03/30  
摘要： 本发明涉及一种利用离子液体电沉积制备Ni‑Mo‑P纳米合金薄膜电极的方法，该方法成功解决了传统水溶液电沉积制备镍基合金薄膜电极存在的电流效率低，废液产量高、薄膜组织粗大以及氢致缺陷高等问题。离子液体电沉积制备Ni‑Mo‑P纳米合金薄膜电极的方法包括以下步骤，将磷酸盐、柠檬酸、钼盐、镍盐分别加入氯化胆碱和乙二醇混合的离子溶剂中，得到离子镀液；以黄铜片为基板，通过恒电流法在黄铜片上电沉积制备Ni‑Mo‑P纳米合金薄膜电极，其中，磷酸盐为NaH2PO2、钼盐为(NH4)6Mo7O24、镍盐为NiCl2，镀液温度为60～80℃；电流密度为5～50mA/cm2，电沉积的时间为3～7min。本发明制备的Ni‑Mo‑P合金薄膜电极具有良好的析氢催化性能（η200=169mV,b=51.2mV/dec）。

专利名称：激光脉冲溅射沉积制备NiMnCoIn合金薄膜的方法      申请号：2015104462894     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：塑料 CO 合金薄膜   相似专利 发布日：2024/03/07  
摘要： 本发明提供了一种激光脉冲溅射沉积制备Ni-Mn-Co-In合金薄膜的方法。该合金薄膜的结构通式为Ni50Mn34In16-XCoX，通式中x＝0、2、4、6，该薄膜按如下方法制备：按配比取Ni、Mn、Co、In金属单质作为靶材原料，将靶材原料放置于非自耗真空电弧炉熔内熔炼，电弧炉内抽真空至5×10-3Pa后，充入保护气，得到圆形靶材；将预处理后的基板和靶材放入真空系统中，抽真空至1.0×10-4Pa，基板温度为500～700℃，基板与靶材间距离为3～5cm；再用激光器发射激光，控制频率为3～4Hz，溅射1～3小时，制得要求厚度的薄膜；最后将薄膜在800～900℃下退火0.5～3h，制备出Ni50Mn34In16-XCoX合金薄膜。本发明制备的合金薄膜的成分更精确，粗糙度更低，各向异性强，该合金薄膜韧性好，强度大，制备工艺简单，成本低，易于工业化生产。