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摘 要:一种利用阱分割技术提高低压ESD防护性能的方法,具体包括阱分割技术和特殊的金属布线方法,可用于提高片上IC低压ESD保护的可靠性,本发明方法实例器件一主要由P衬底、第一N阱、第一P阱、第二P阱、第二N阱、第三P阱、第三N阱、第四P阱、第四N阱、第四P+注入区、第五N+注入区构成。在ESD应力作用下,利用阱分割技术,一方面,可获得二极管串触发SCR的低压ESD保护器件,避免器件内部产生雪崩击穿效应,降低器件的触发电压,另一方面,可大幅降低器件的寄生电容,满足射频IC的ESD保护需求。此外,通过调整器件内部N+注入区和P+注入区位置,改变SCR结构的ESD电流泄放路径,并结合金属布线设计,调节器件的维持电压。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201711354718.0 | 专利名称: | 一种利用阱分割技术提高低压ESD防护性能的方法 |
申请日: | 2017-12-15 | 申请/专利权人 | 江南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省无锡市蠡湖大道1800号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L27/02搜分类 防护 低 港口搜索 |
公开/公告日: | 2020-08-04 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108109997B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |