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摘 要:本发明公开了一种单宁酸‑钴络合物修饰的NixP/CuO/NiO光电阴极及制备方法,属于材料科学技术和化学领域。本发明所述的制备单宁酸‑钴络合物修饰的NixP/CuO/NiO光电阴极的方法包括如下步骤:通过水热合成法将NiO薄膜沉积到FTO导电玻璃上、通过空气热氧化法制备CuO/NiO电极、采用光化学方法制备NixP/CuO/NiO电极、将NixP/CuO/NiO电极浸入CoCl2溶液10‑20min后取出,洗涤;再浸入单宁酸溶液中,调节pH为9‑10,反应0.5‑1.5h;反应结束后洗涤、干燥,得到单宁酸‑钴络合物修饰的NixP/CuO/NiO光电阴极。本发明所述的单宁酸‑钴络合物修饰的NixP/CuO/NiO光电阴极的产氢效率高,可以达到1.77μmol/h以上;稳定性良好,在测试长达8000s时,该电极的光电流密度仅比初始值略有下降。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202011398889.5 | 专利名称: | 一种单宁酸-钴络合物修饰的NixP/CuO/NiO光电阴极及制备方法 |
申请日: | 2020-12-02 | 申请/专利权人 | 江南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C25B11/091搜分类 C P 港口 阴极搜索 |
公开/公告日: | 2021-10-29 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN112458493B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |