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摘 要:本发明公开了一种利用原子层沉积技术快速生长NixC薄膜的方法,属于纳米材料领域,将衬底置于反应腔,在真空下,以式1所示结构的化合物为Ni前驱体,以甲酸、乙酸、丙酸、丁酸中的一种或几种为碳源;以脉冲形式向反应腔中通入气相Ni前驱体,得到沉积有Ni前驱体的衬底;然后充入惰性气体进行吹扫后,将气相碳源以脉冲形式通入反应腔,与沉积在衬底上的Ni前驱体进行反应,得到含单原子层NixC薄膜的衬底;再向充入惰性气体清洗;重复上述ALD生长循环多次,即可得到生长NixC薄膜的衬底。本发明沉积速率高,沉积速率可达0.196nm/循环,且本发明所制备的NixC薄膜的电阻率低。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202011477889.4 | 专利名称: | 一种利用原子层沉积技术快速生长NixC薄膜的方法 |
申请日: | 2020-12-14 | 申请/专利权人 | 江南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C07F15/04搜分类 塑料 C 港口 生长搜索 |
公开/公告日: | 2021-10-22 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN112647059B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |