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摘 要:本发明涉及一种用新工艺方法制备GaSb纳米线的方法,以分子束外延(MBE)为基础,使用全新方法在GaSb衬底上制备GaSb纳米线,属于纳米材料制备领域。在无催化剂、无模板的条件下利用MBE的超高真空环境,制备出高纯度优质的GaSb纳米线。最重要的步骤是在氧化层去除后,关闭Sb束流,使GaSb表面形成Ga富集区,形成新的纳米线生长界面,然后再开启Ga和Sb的挡板生长GaSb,由于表面状态的不同而使GaSb区域性的三维生长,从而形成纳米线结构,制备出GaSb衬底上的GaSb纳米线。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201410165012.X | 专利名称: | 用分子束外延(MBE)在GaSb衬底上无催化制备GaSb纳米线的方法 |
申请日: | 2014-04-23 | 申请/专利权人 | 长春理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 吉林省长春市朝阳区卫星路7089号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C30B29/40搜分类 纳米线 底搜索 |
公开/公告日: | 2019-04-30 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN105019027B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |