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摘 要:本发明公开了一种半导体光放大器,特别涉及一种具有抛物线形曲面波导结构的GaAs基半导体光放大器。该半导体光放大器材料为GaAs基材料体系,在N型GaAs衬底上依次外延N型AlxGa1‑xAs缓冲层、N型AlGaAsSb下限制层、N型N‑AlxGa1‑xAs下波导层、InxGa1‑xAs量子阱有源区、P型AlxGa1‑xAs上波导层、P型AlGaAsSb上限制层。本发明公开的这种半导体光放大器上波导层为具有抛物线形曲面结构,该结构可使抛物线形曲面尖端具有更高的光子密度,提高半导体光放大器的模式体积,使其具有更高的增益,同时该抛物线形曲面波导结构有利于压缩半导体光放大器的发散角,实现高功率输出,提高光纤耦合效率。本发明公开的这种半导体光放大器上波导层的抛物线形曲面结构通过电子束曝光或紫外光刻,然后采用干法与湿法相结合的刻蚀工艺制备得到。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201611100374.6 | 专利名称: | 一种半导体光放大器 |
申请日: | 2016-12-05 | 申请/专利权人 | 长春理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 吉林省长春市朝阳区南湖街道卫星路7089号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01S5/323搜分类 半导体 放大器搜索 |
公开/公告日: | 2019-12-10 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN106785915B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |