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专利名称:
一种半导体光放大器
申请号:
2016111003746
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法律状态:已下证 类型:发明 关键词:
半导体 放大器
相似专利
发布日:2023/10/17
摘要: 本发明公开了一种半导体光放大器,特别涉及一种具有抛物线形曲面波导结构的GaAs基半导体光放大器。该半导体光放大器材料为GaAs基材料体系,在N型GaAs衬底上依次外延N型AlxGa1‑xAs缓冲层、N型AlGaAsSb下限制层、N型N‑AlxGa1‑xAs下波导层、InxGa1‑xAs量子阱有源区、P型AlxGa1‑xAs上波导层、P型AlGaAsSb上限制层。本发明公开的这种半导体光放大器上波导层为具有抛物线形曲面结构,该结构可使抛物线形曲面尖端具有更高的光子密度,提高半导体光放大器的模式体积,使其具有更高的增益,同时该抛物线形曲面波导结构有利于压缩半导体光放大器的发散角,实现高功率输出,提高光纤耦合效率。本发明公开的这种半导体光放大器上波导层的抛物线形曲面结构通过电子束曝光或紫外光刻,然后采用干法与湿法相结合的刻蚀工艺制备得到。
专利名称:
面向随机大输入功率范围的多通道均衡航天光前置放大器
申请号:
202210116020X
转让价格:面议
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法律状态:已下证 类型:发明 关键词:
放大器
相似专利
发布日:2023/10/17
摘要: 面向随机大输入功率范围的多通道均衡航天光前置放大器,涉及无线高速激光通信技术领域,为解决现有航天平台舱与载荷舱间动态旋转条件下随机大输入功率范围下多通道信号均衡低噪放大难的问题,其包括:电控光衰减器、光学耦合器一、光电探测器一、控制器一、隔离器一、波分复用器一、980nm泵浦源一、掺铒光纤一、金属保护盒一、配合型滤波器、掺铒光纤二、波分复用器二、980nm泵浦源二、控制器二、金属保护盒二、隔离器二、光学耦合器二和光电探测器二;本发明基于电控光衰减器、光纤耦合器、光电探测器和控制器完成输入光功率自适应调控,可以面对大范围随机输入功率。通过测试多路激光器的发射波长及功率,研制滤波形状和激光器输出相匹配的滤波器。
专利名称:
对温度变化不敏感的宽带光参量啁啾脉冲放大器
申请号:
2019107215276
转让价格:面议
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法律状态:已下证 类型:发明 关键词:
通信网络 网络传输 放大器
相似专利
发布日:2022/07/14
摘要: 本发明涉及一种对温度变化不敏感的宽带光参量啁啾脉冲放大器,包括第一脉冲激光器、第二脉冲激光器、展宽器以及周期性极化晶体。通过使信号光、泵浦光以及闲频光之间的非共线角同时满足对波长、对温度变化不敏感所需的角度关系,从而使该光参量啁啾脉冲放大器既能够实现宽带宽的信号光放大(对波长变化不敏感),又能够有效缓解非线性晶体因局部温度过高而导致的相位失配(对温度变化不敏感)。周期性极化晶体的周期性畴反转结构具有使kp(T0)、ks(T0)、ki(T0)和kg四路波矢构成波矢四边形的能力,使得该光参量啁啾脉冲放大器能够满足相位匹配的要求,从而提高该光参量啁啾脉冲放大器高平均功率模式下的转换效率。
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