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摘 要:一种半导体器件1/f噪声SαS模型参数估计方法,涉及半导体检测技术领域,为了解决在测量系统干扰噪声背景下,半导体器件1/f噪声非高斯概率模型分析及模型参数估计问题,该方法:搭建半导体器件低频噪声测量系统;半导体器件1/f噪声概率模型分析;测量系统本底噪声和半导体器件观测噪声的非高斯性检验,半导体器件观测噪声的概率密度曲线检验、拟合优度检验、概率模型参数估计一致性检验,对半导体器件1/f噪声建立SαS概率模型;半导体器件1/f噪声SαS模型参数估计;根据步骤二对半导体器件1/f噪声建立SαS概率模型,提出一种半导体器件1/f噪声SαS分布参数估计方法;1/f过程x的SαS模型可记为:x~S(α,0,γ,0);偏斜参数和位置参数都为零,只需估计特征指数α和分散系数γ即可完整描述模型特征。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110938389.4 | 专利名称: | 一种半导体器件1/f噪声SαS模型参数估计方法 |
申请日: | 2021-08-16 | 申请/专利权人 | 长春理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 吉林省长春市朝阳区卫星路7186号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G01R31/26搜分类 半导体 噪声 F 器件搜索 |
公开/公告日: | 2021-11-09 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113625146A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |