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摘 要:本发明公开了一种直流‑交流变换器拓扑结构,包括采用Si‑IGBT器件构成的主单元、采用SiC‑MOSFET器件构成的从单元、工频变压器;主单元包括连接直流侧输入电压的逆变电路a,逆变电路a连接LC滤波电路a,LC滤波电路a输出端串联工频变压器的初级绕组,LC滤波电路a输出端还连接负载;从单元包括连接直流侧输入电压的逆变电路b,逆变电路b连接LC滤波电路b,LC滤波电路b串联工频变压器的次级绕组;将SiC‑MOSFET开关损耗小与Si‑IGBT电流能力强的优点有效结合起来,极大地降低了Si‑IGBT的开关频率,使高频工作的SiC‑MOSFET流过较小电流,降低了开关损耗,提高了系统的工作效率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202011501544.8 | 专利名称: | 一种直流-交流变换器拓扑结构及其控制策略 |
申请日: | 2020-12-17 | 申请/专利权人 | 东北电力大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 吉林省吉林市船营区长春路169号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H02M7/5387搜分类 拓扑结构 交流 控制策略 变换器搜索 |
公开/公告日: | 2022-04-22 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN112751498B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2022/04/22 | 授权 | |
2021/05/21 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H02M 7/5387 专利申请号: 202011501544.8 申请日: 2020.12.17 |
2021/05/04 | 公开 |