专利名称：一种高增益升压直流变换器      申请号：2017100331309     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： 变换器   相似专利 发布日：2024/04/30  
摘要： 本发明公开了一种高增益升压直流变换器，包括直流电压源、可控开关、负载及n个电容‑电感‑二极管CLD单元；各个CLD单元中的电容的第一端与电感的第一端连接，电感的第二端分别与第一二极管的阳极和第二二极管的阳极连接，第二二极管的阴极与电容的第二端连接；各个第一二极管的阴极均与可控开关的第一端连接；各个电容串联；直流电压源的正极与第1个CLD单元中的电容的第一端连接，其负极分别与负载的第一端和可控开关的第二端连接，负载的第二端与第n个CLD单元的电容的第二端连接，可控开关的控制端接脉冲信号；该变换器的电压增益为1/(1‑d)n，其中，d为可控开关的导通占空比。本发明的电路结构简单、灵活，易于实现。

专利名称：一种用于分布式电源系统中谐振变换器的混合控制方法      申请号：201911356391X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电源 布 纺织面料 分布式电源 变换器   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明提供一种用于分布式电源系统中谐振变换器的混合控制方法，所述分布式电源系统采用两极拓扑结构，前级为升压功率因数校正级，后级为直流—直流变换级，两级中间连接一个连接电容，所述直流—直流变换级采用全桥LLC谐振变换器；其特征在于：在正常模式下，所述全桥LLC谐振变换器工作于半桥谐振变换器状态，谐振变换器的工作频率等于谐振频率，所述谐振变换器工作在谐振频率点，谐振变换器的效率最大；当交流输入电压丢失，全桥LLC谐振变换器处于保持模式，全桥LLC谐振变换器采用基于脉冲宽度调制和脉冲频率调制的混合控制，实现高电压增益调节，扩宽谐振变换器的输入电压工作范围，负载输出电压不变。

专利名称：一种隔离型高升压准开关电容变换器      申请号：2017111704810     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电力 开关插座 隔离 变换器   相似专利 发布日：2023/09/20  
摘要： 本发明公开了一种隔离型高升压准开关电容变换器，包括前级的准双开关升压开关电容变换器单元和后级的隔离变压器单元两级结构构成，前级的准双开关升压开关电容变换器单元和后级的隔离变压器单元之间通过高频隔离变压器连接，高频隔离变压器由初级线圈电感Lp和次级线圈电感Ls、次级线圈电感Lt组成，本发明有效降低输入电流尖峰值，实现输入电流连续，用简单的拓扑实现高升压，并结合隔离变压器使其具有隔离升压的功能。

专利名称：一种磁集成全桥LLC谐振变换器      申请号：2020105160445     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：C L LED芯片 变换器   相似专利 发布日：2023/09/14  
摘要： 本发明公开了一种磁集成全桥LLC谐振变换器。其特征在于，包括：原边直流电源、输入滤波电容、原边逆变桥、谐振及电压变换(包括磁集成结构及谐振电容)、副边整流桥、输出滤波电容、输出负载；能量由原边直流电源提供，经过原边逆变桥开关管逆变进入谐振及电压变换部分，再经过副边整流桥二极管最后提供给负载。磁集成结构在一个磁芯中集成了谐振电感、励磁电感以及变压器，整个变换器仅含有一个磁元件，有效地减小了磁性元件的体积，提高了变换器的功率密度。本发明可在变频控制、移相控制以及变频+移相混合控制下实现大功率、小体积、高效率的能量传递，具有宽范围电压输入、增益范围广、传输效率高、容易实现软开关等优点。

专利名称：适用于双级矩阵变换器整流级的混合式换流方法      申请号：2013107395642     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： 变换器   相似专利 发布日：2022/10/26  
摘要： 适用于双级矩阵变换器整流级的混合式换流方法，整流级调制策略采用X型扇区划分方法，将一个周期分为6个扇区，再以每一扇区中幅值同极性两相电压相等处为界细分为2个扇区，共分为12扇区；判断调制生成的脉冲是否大于四步换流时间，如大于则为宽脉冲，否则为窄脉冲，宽脉冲处实施四步换流，窄脉冲处采用零电流换流；并提供一种依据整流级开关占空比调整逆变级调制波的零电流换流简易实现方法。本发明在确保系统具有优良网侧性能和传动性能的同时，有效消除了由换流失效导致的过电流/过电压尖峰，实现了安全可靠换流，提高了系统可靠性，为双级矩阵变换器的进一步工程应用奠定了基础。

专利名称：双极型晶体管型自激式Zeta变换器      申请号：2010102109848     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： 变换器   相似专利 发布日：2023/09/14  
摘要： 一种双极型晶体管型自激式Zeta变换器，包括PNP晶体管Q1、电感L1、电容C2、二极管D1、电感L2和电容C3组成Zeta变换器的主回路，自激式Zeta变换器还包括PNP晶体管Q2，PNP晶体管Q1的发射极与直流输入电压Vi的正端相连，电感L1和电容C2的接点与PNP晶体管Q1的集电极相连，PNP晶体管Q2的发射极和集电极分别与PNP晶体管Q1的发射极和基极相连，PNP晶体管Q1的基极还通过电阻R1接于直流输入电压Vi的负端，电阻R2和电阻R3的串联支路并接于Q1的发射极和集电极两端，电阻R2和电阻R3的接点与PNP晶体管Q2的基极相连。本发明电路电路结构简单、元器件数目少、拓宽应用范围。