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摘 要:本发明公开了一种自激励自旋单电子电磁场效应晶体管、制备方法及应用,该电磁场效应晶体管包括基板、源电极、漏电极、栅电极和纳米线有源区,源电极、漏电极和栅电极设置于基板上,纳米线有源区为源电极和漏电极之间的电流通道,纳米线有源区为掺杂有磁性金属的多型碳化硅纳米线。本发明室温可实现单电子库伦阻塞效应和单电子隧穿效应;同时,在实现单电子库伦阻塞和单电子隧穿效应时,单电子振荡产生变化电场,变化电场产生变化磁场,在施加源漏电压补充能量情况下,可呈现多结构的电磁振荡,产生皮安级的单电子自旋电流。本发明可作为量子信息的产生、转换、传输和存储的元件。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201510222164.3 | 专利名称: | 自激励自旋单电子电磁场效应晶体管、制备方法及应用 |
申请日: | 2015-04-30 | 申请/专利权人 | 湖北工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 湖北省武汉市武昌区南湖李家墩1村1号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/66搜分类 电子 磁场 场效应晶体管搜索 |
公开/公告日: | 2015-07-15 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN104779275A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2017/11/28 | 授权 | |
2015/08/12 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 29/66 专利申请号: 201510222164.3 申请日: 2015.04.30 |
2015/07/15 | 公开 |