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摘 要:本发明公开了一种基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管,包括两个自激励单电子自旋电磁晶体管,两个自激励单电子自旋电磁晶体管共接直流栅极电压源Vg,共接源极和漏极,组成一对称的环状电路,环状电路的一端与负载电阻R、电容C、漏电压Vp连接,另一端为输出端,在栅极电压Vg超过阈值时,输出漏电流随输入的漏电压Vp呈现谐振变化,形成顺时针和逆时针循环环路电流,在输出端两个晶体管的漏极形成干涉电流。本发明证实在栅极电压的阈值超过后,基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管的源漏电压与漏电流的关系呈现干涉现象。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810064170.4 | 专利名称: | 基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管 |
申请日: | 2018-01-23 | 申请/专利权人 | 湖北工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 湖北省武汉市洪山区南李路28号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L49/00搜分类 电子 干搜索 |
公开/公告日: | 2021-04-27 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108346740B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |