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摘 要:本发明属于高温铜氧化物超导材料技术领域,具体涉及到一种底部籽晶熔渗生长法制备单畴稀土钡铜氧超导环的方法及其制备的超导环。本发明的方法包括配制固相源粉、配制液相源粉、压制固相先驱环、压制固相支撑层、压制液相源先驱块、压制Yb2O3支撑块、制备钕钡铜氧籽晶、装配先驱块、熔渗生长单畴稀土钡铜氧超导环、渗氧处理步骤。本发明的底部籽晶熔渗生长法制备单畴稀土钡铜氧超导环技术,既能实现液相源先驱块中液相的熔渗,又能保证单畴稀土钡铜氧超导环的生长;不仅大大简化了环状超导体的制备过程,避免了由块状超导体加工至环状超导体过程中样品被破坏的可能性,同时也可以直接观察到环形超导体在生长完成后上表面的宏观生长形貌。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201710161868.3 | 专利名称: | 一种底部籽晶熔渗生长法制备单畴稀土钡铜氧超导环的方法及其制备的超导环 |
申请日: | 2017-03-17 | 申请/专利权人 | 陕西师范大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市长安区西长安街620号陕西师范大学长安校区 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C30B29/22搜分类 稀土材料 超导 底 生长搜索 |
公开/公告日: | 2017-08-18 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN107059127A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2019/04/16 | 授权 | |
2017/09/12 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C30B 29/22 专利申请号: 201710161868.3 申请日: 2017.03.17 |
2017/08/18 | 公开 |