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摘 要:本发明公开了一种基于PtSe2与硅纳米柱阵列的光电探测器及其制备方法,该光电探测器包括PMMA透光保护层、石墨烯透明上电极、包覆少层PtSe2的硅纳米柱阵列结构体、石墨烯透明上电极和硅纳米柱阵列结构体的金属电极。制备方法为:CVD法制备石墨烯;干法刻蚀制备硅纳米柱阵列结构体;激光干涉增强诱导CVD在硅纳米柱阵列结构体表面包覆少层PtSe2;制备石墨烯透明上电极;磁控溅射镀制金属电极。本发明制备的光电探测器可以实现可见光到近红外波段的探测功能,硅纳米柱阵列结构体增强了探测器对光线的吸收作用,使得该探测器具有灵敏度高,器件结构简单,实用性强的优点。同时,制备方法可以提高器件性能,具有较高的推广价值。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110062494.6 | 专利名称: | 基于PtSe2与硅纳米柱阵列的光电探测器及其制备方法 |
申请日: | 2021-01-18 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/109搜分类 探测 SE 硅 P 阵列 光电探测 纳米搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |