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摘 要:本发明涉及一种光敏感性Zr-B-Si-C陶瓷前驱体及其原位制备方法。所述方法为:将甲基乙烯基二氯硅烷和硼烷二甲硫醚混合均匀,然后加入金属钠进行脱氯,得到甲基乙烯基硼硅烷;将氯甲基三氯硅烷、甲基氯甲基二氯硅烷和二氯二茂锆混合均匀,然后加入金属镁进行第一保温反应,再加入还原剂进行第二保温反应,得到聚锆碳硅烷;将甲基乙烯基硼硅烷和聚锆碳硅烷混合均匀,得到乙烯基Zr-B-Si-C烷;将乙烯基Zr-B-Si-C烷与巯基丙酸酯混合均匀,然后加入光引发剂引发聚合反应,制得所述陶瓷前驱体。本发明解决了传统光固化体系粘度大、热应力大、结构件力学性能衰减等问题,为光固化3D打印超高温陶瓷结构件提供了优质的原材料。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910309890.7 | 专利名称: | 一种光敏感性Zr-B-Si-C陶瓷前驱体及其原位制备方法 |
申请日: | 2019-04-17 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C08F299/02搜分类 陶瓷 C R 港口搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |