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24小时咨询热线摘 要：本发明公开了一种混合钙钛矿薄膜的制备方法，是将CsPbBr3和CH3NH3Br溶解于DMSO溶液中，混合均匀后通过旋涂形成厚度为100‑200nm的薄膜；其中所述CsPbBr3和CH3NH3Br的比例为1:0.2‑1.2，其中CsPbBr3的物质量溶度为0.4‑0.6M。制备的混合钙钛矿薄膜组装而成的LED器件性能优异，电流效率最高可达到77.18，最高亮度超过50,000cd m‑2，最高的外量子效率达到20.31％，极大地超越了现有技术的记录，推动了钙钛矿LED的发展，为其未来实现产业化，走进千家万户做出巨大的贡献。
著 录 项：
| 专利/申请号： | CN201711090500.9 | 专利名称： | 一种混合钙钛矿薄膜的制备方法及其于LED的应用 |
| 申请日： | 2017-11-08 | 申请/专利权人 | 华侨大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 福建省泉州市丰泽区城东城华北路269号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H01L51/56搜分类 塑料 钙 L LED芯片 膜的制备方法搜索 |
| 公开/公告日： | 2019-07-09 | 转让价格： | 面议 |
| 公开/公告号： | CN107910456B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2019/07/09 | 授权 | |
| 2018/05/08 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 51/56 专利申请号: 201711090500.9 申请日: 2017.11.08 |
| 2018/04/13 | 公开 |
