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摘 要:本发明提供了一种钼表面离子渗硫制备二硫化钼渗层的方法,包括以下步骤:一、对钼基体依次进行打磨、超声波清洗、流水冲洗和烘干处理;二、对烘干后的钼基体进行离子轰击清洗;三、采用二硫化碳和氩气的混合气体为含硫气体,然后向离子氮化炉内通入含硫气体,对钼基体进行离子渗硫处理,在钼基体的表面得到二硫化钼渗层。本发明采用二硫化碳和氩气的混合气体为含硫气体,通过对离子轰击清洗后的钼表面进行渗硫处理,在钼表面得到组织均匀致密的二硫化钼渗层,能够显著提高钼的耐磨性能。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610838384.3 | 专利名称: | 一种钼表面离子渗硫制备二硫化钼渗层的方法 |
申请日: | 2016-09-21 | 申请/专利权人 | 长安大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市南二环中段33号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C23C8/36搜分类 表 二硫化钼搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2018/08/17 | 授权 | |
2017/03/08 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C23C 8/36 专利申请号: 201610838384.3 申请日: 2016.09.21 |
2017/02/08 | 公开 |