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摘 要:一种Pm‑147碳化硅缓变肖特基同位素电池,包括衬底,衬底下方设置N型欧姆接触电极,衬底上部设置第一N型SiC外延层,第一N型SiC外延层上部设置第二N型SiC外延层,在第二N型SiC外延层的顶部设有若干肖特基电极,在第二N型SiC外延层的顶部除去肖特基电极的区域设有SiO2钝化层,在SiO2钝化层的上方设有Pm‑147放射性同位素源。本发明的Pm‑147碳化硅肖特基同位素电池采用两层掺杂浓度不同的N型层替代常规的N型,通过在辐照生载流子的扩散区中引入电场,将载流子的扩散运动转变成扩散运动和漂移运动的结合,有利于减少辐照生载流子的复合损耗,从而提升电池的输出功率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810130364.X | 专利名称: | 一种Pm-147碳化硅缓变肖特基同位素电池及其制造方法 |
申请日: | 2018-02-08 | 申请/专利权人 | 长安大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市南二环中段33号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G21H1/06搜分类 电池 硅 P 港口搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2022/04/26 | 授权 | |
2019/01/01 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): G21H 1/06 专利申请号: 201810130364.X 申请日: 2018.02.08 |