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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN201911093840.6 | 专利名称: | 一种抑制界面IMC生长的微焊点的制备方法 |
申请日: | 2019-11-11 | 申请/专利权人 | 重庆理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 重庆市巴南区李家沱红光大道69号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | B23K31/00分类检索 C 微 微生物采样 生长专利转让搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 【平台担保交易】 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要:本发明公开了一种抑制界面IMC生长的微焊点的制备方法,其包括如下步骤:步骤一,沉积薄膜,提供两块金属基底,在所述金属基底的焊接面上沉积有Co‑P纳米晶薄膜,该Co‑P纳米晶薄膜中P的原子百分比为0.1~10at.%;步骤二,钎焊,将两块金属基底的焊接面对准,以纯Sn作为钎料,利用浸焊在两块金属基底的焊接面之间制得Co‑P/Sn/Ag微互连结构;步骤三,超声刻蚀处理,对制得的Co‑P/Sn/Co‑P微互连结构进行超声刻蚀处理,除去未反应的纯Sn钎料,在金属基底上得到Co‑P/CoSn3结构;步骤四,回流焊,将刻蚀后的Co‑P/CoSn3结构用SnAg锡膏连接,并进行回流焊,得到具有Co‑P/SnAg/Co‑P微互连结构的微焊点。其能够有效抑制使用过程中温度梯度造成的原子迁移,同时能够抑制界面IMC在热迁移下的继续生长,提高微焊点的可靠性。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |