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摘 要:本发明公开了一种金属光子晶体耦合增强nano‑LED阵列及制造方法,自下而上包括:Si衬底、Ni/Au金属阵列和p电极连接线、nano‑LED阵列、n型GaN层、Ti/Au金属层;nano‑LED阵列结构自下而上包括:Ni/Au金属层、Ag金属层、p型GaN层、量子阱层、量子阱层上的n型GaN层;每个nano‑LED单体有单独的p接触,所有nano‑LED单体共用一个n接触;Ag金属层在阵列中构成Ag金属光子晶体,利用光子禁带和金属表面等离激元的性质增强发光效率,表面等离激元由Ag金属层产生;中间部分为倒装结构,利用Ag金属光子晶体的反射镜作用减少了底部衬底的吸收。该专利大幅度提高发光效率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810698277.4 | 专利名称: | 金属光子晶体耦合增强nano-LED阵列及制造方法 |
申请日: | 2018-06-29 | 申请/专利权人 | 天津工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 天津市西青区宾水西道399号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L27/15搜分类 LED 光子晶体 阵列搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2021/09/14 | 授权 | |
2019/01/11 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 27/15 专利申请号: 201810698277.4 申请日: 2018.06.29 |